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  • 型号: C2D20120D
  • 制造商: Cree
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供C2D20120D由Cree设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 C2D20120D价格参考。CreeC2D20120D封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载C2D20120D参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有C2D20120D 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

DIODE SCHOTTKY 1200V 22A TO247肖特基二极管与整流器 SIC SCHOTTKY DIODE 1200V, 2x10A

产品分类

二极管,整流器 - 阵列分离式半导体

品牌

Cree, Inc.

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

二极管与整流器,肖特基二极管与整流器,Cree, Inc. C2D20120DZero Recovery™

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产品型号

C2D20120D

不同If时的电压-正向(Vf)

1.8V @ 10A

不同 Vr时的电流-反向漏电流

200µA @ 1200V

二极管类型

碳化硅肖特基

二极管配置

1 对共阴极

产品

Schottky Silicon Carbide Diodes

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=20536http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=15697

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产品种类

肖特基二极管与整流器

供应商器件封装

TO-247-3

包装

管件

反向恢复时间(trr)

0ns

商标

Cree, Inc.

安装类型

通孔,径向

安装风格

Through Hole

封装/外壳

TO-247-3

封装/箱体

TO-247-3

峰值反向电压

1.2 kV

工作温度范围

- 55 C to + 175 C

工厂包装数量

30

恢复时间

-

技术

SiC

最大二极管电容

455 pF

最大功率耗散

138 W

最大反向漏泄电流

200 uA

最大工作温度

+ 175 C

最大浪涌电流

65 A

最小工作温度

- 55 C

标准包装

30

正向电压下降

1.8 V

正向连续电流

20 A

热阻

0.54°C/W Jc

电压-DC反向(Vr)(最大值)

1200V(1.2kV)

电流-平均整流(Io)(每二极管)

22A

速度

无恢复时间 > 500mA(Io)

配置

Dual

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