Datasheet下载- 型号： BZX84C18-7-F
- 制造商： Diodes Inc.
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BZX84C18-7-F由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BZX84C18-7-F价格参考。Diodes Inc.BZX84C18-7-F封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BZX84C18-7-F参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BZX84C18-7-F 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BZX84C18-7-F 是由 Diodes Incorporated 生产的一款齐纳二极管，属于单齐纳二极管类别。其主要应用场景包括： 1. 电压稳压： BZX84C18-7-F 的齐纳击穿电压为 18V，常用于电路中提供稳定的参考电压。例如，在电源电路中，它可以确保负载电压保持在设定值，防止因输入电压波动导致的不稳定。 2. 过压保护： 在敏感电子设备中，该齐纳二极管可以用来限制电压，避免过高电压损坏后级电路。例如，在信号输入端或传感器接口中，它可以将电压钳位在安全范围内。 3. 信号电平转换： 在模拟电路或数字电路中，BZX84C18-7-F 可用于调整信号电平。例如，将高幅值信号降低到适合后续放大器或处理器处理的范围。 4. 浪涌抑制： 该器件能够吸收瞬时高压脉冲（如雷击或开关引起的浪涌），从而保护电路中的其他元件。这种应用常见于工业控制、通信设备和汽车电子中。 5. 基准电压源： 在需要精确电压参考的应用中，BZX84C18-7-F 可作为简单的基准电压源，配合运放等元件构建更复杂的稳压电路。 6. 音频电路中的失真消除： 在某些音频放大器设计中，齐纳二极管可用于限制信号峰值，减少失真并改善音质。 7. 电池管理： 在低功耗设备中，这款齐纳二极管可用于监控电池电压，当电压降至临界值时触发报警或关机功能。 总结来说，BZX84C18-7-F 因其紧凑的 SOD-323 封装和稳定的性能，适用于各种消费类电子、工业设备及汽车电子领域中的电压调节、保护和信号处理任务。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | DIODE ZENER 18V 300MW SOT23-3稳压二极管 18V 350mW |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳分离式半导体 |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,稳压二极管,Diodes Incorporated BZX84C18-7-F- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BZX84C18-7-F |
| PCN设计/规格 | |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 900mV @ 10mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 100nA @ 12.6V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 稳压二极管 |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3 |
| 其它名称 | BZX84C18-7-F-ND |
| 其它图纸 |
|
| 功率-最大值 | 300mW |
| 功率耗散 | 350 mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 容差 | ±6% |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 工具箱 | /product-detail/zh/Q112680/BZX2-KIT-ND/184354 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 最大反向漏泄电流 | 100 nA |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大齐纳阻抗 | 45 Ohms |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 18V |
| 电压容差 | 6 % |
| 电压温度系数 | 14.2 mV/C |
| 系列 | BZX84C18 |
| 配置 | Single |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 45 欧姆 |
| 齐纳电压 | 18 V |
| 齐纳电流 | 5 mA |
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