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  • 型号: BZX79-B4V3,113
  • 制造商: NXP Semiconductors
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供BZX79-B4V3,113由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BZX79-B4V3,113价格参考。NXP SemiconductorsBZX79-B4V3,113封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载BZX79-B4V3,113参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BZX79-B4V3,113 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

BZX79-B4V3,113 是德州仪器(Texas Instruments)推出的标称稳压值为4.3V、容差±5%的硅齐纳二极管(单管),采用DO-35玻璃封装,功耗约400mW。其典型应用场景包括:

1. 低功耗电压基准:为传感器信号调理电路、ADC参考源或微控制器模拟外设提供稳定、低成本的4.3V基准电压(适用于对精度要求不苛刻的场合);  
2. 过压保护与钳位:在I/O接口或电源输入端,与限流电阻配合,将瞬态电压钳位于4.3V左右,防止后级CMOS器件(如MCU引脚)因ESD或浪涌而损坏;  
3. 简单稳压供电:为小电流负载(如LED指示电路、偏置网络、振荡器偏置)提供简易稳压,适用于电池供电设备中对效率和成本敏感的子电路;  
4. 电平转换与信号整形:在数字电路中用作电压箝位元件,实现逻辑电平适配(如将5V信号安全转为兼容3.3V系统的输入);  
5. 温度补偿辅助电路:虽自身温漂约−2.5 mV/°C,但在某些分立模拟设计中可与其他正温度系数元件配合实现粗略温补。

注意:该器件属通用型齐纳管,不适用于高精度、低温漂或大电流场景;TI已将BZX79系列部分型号转入“NRND”(Not Recommended for New Designs),新设计建议评估更优替代品(如BZX84系列或TL431等集成基准)。实际应用中需严格限制工作电流(通常5–20mA),并确保功耗不超过额定值。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

DIODE ZENER 4.3V 400MW ALF2

产品分类

单二极管/齐纳

品牌

NXP Semiconductors

数据手册

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产品图片

产品型号

BZX79-B4V3,113

PCN其它

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rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同If时的电压-正向(Vf)

900mV @ 10mA

不同 Vr时的电流-反向漏电流

3µA @ 1V

供应商器件封装

ALF2

其它名称

933549970113
BZX79-B4V3 T/R
BZX79-B4V3 T/R-ND

功率-最大值

400mW

包装

带卷 (TR)

安装类型

通孔

容差

±2%

封装/外壳

DO-204AH,DO-35,轴向

工作温度

-65°C ~ 200°C

标准包装

10,000

电压-齐纳(标称值)(Vz)

4.3V

阻抗(最大值)(Zzt)

90 欧姆

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