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- 型号： BZV85-C62,133
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BZV85-C62,133由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BZV85-C62,133价格参考。NXP SemiconductorsBZV85-C62,133封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BZV85-C62,133参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BZV85-C62,133 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BZV85-C62,133 是恩智浦（NXP USA Inc.）推出的单齐纳二极管，标称稳压值为62 V（容差±5%，即58.9–65.1 V），最大功率耗散为1.3 W，采用DO-41玻璃封装。其主要应用场景包括： 1. 过压保护：常用于电源输入端或敏感电路前级，配合限流电阻构成简单钳位电路，吸收瞬态浪涌（如ESD、感应电压尖峰），防止后级IC或传感器损坏。 2. 基准电压源：在中低精度要求的模拟电路中（如简易稳压器、比较器参考端），提供相对稳定的62 V基准，适用于工业控制板、仪表电源模块等对成本和尺寸敏感的场合。 3. 电压箝位与限幅：在开关电源反馈回路、高压信号调理电路中，限制节点电压不超过安全阈值，保障光耦、MOSFET驱动等器件可靠工作。 4. 浪涌抑制器组件：作为TVS替代方案（虽响应速度慢于TVS，但成本更低），用于非严苛EMC环境下的二级防护，如家电控制器、照明驱动器、继电器控制板。 需注意：该器件为玻璃钝化结型齐纳，温度系数约+5.5 mV/°C（典型值），高温下稳压值略升；不适用于高频或高精度基准场景；使用时须严格计算功耗并确保散热条件满足1.3 W额定值。典型应用无需额外驱动，设计简洁，适合大批量、高可靠性消费及工业电子设备。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 62V 1.3W DO41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BZV85-C62,133 |
| PCN其它 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1V @ 50mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 50nA @ 43V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 其它名称 | 933500840133 |
| 功率-最大值 | 1.3W |
| 包装 | 带盒（TB） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±5% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 200°C |
| 标准包装 | 5,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 62V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 175 欧姆 |
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