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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供BZV85-C12,113由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BZV85-C12,113价格参考。NXP SemiconductorsBZV85-C12,113封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载BZV85-C12,113参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BZV85-C12,113 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BZV85-C12,113 是 Nexperia USA Inc. 生产的一款齐纳二极管,属于单齐纳二极管类型。它具有稳定的电压钳位特性,广泛应用于各种电子电路中,主要用于电压稳压、过压保护和信号电平调整等场景。以下是其主要应用场景: 1. 电压稳压 - BZV85-C12,113 的齐纳电压为 12V(标称值),适合用于需要稳定直流电压的场合。例如,在电源电路中,它可以作为参考电压源,为运放、比较器或其他模拟电路提供稳定的电压基准。 2. 过压保护 - 在电源输入端或信号线路上,该齐纳二极管可以用来防止过高电压对后级电路造成损害。当输入电压超过齐纳电压时,二极管会导通并将电压钳位在设定值,从而保护敏感器件。 3. 信号电平调整 - 在信号处理电路中,BZV85-C12,113 可用于限制信号幅度。例如,在音频电路或传感器信号调理电路中,它可以将信号电压限制在安全范围内,避免失真或损坏。 4. 电源监控电路 - 该齐纳二极管可用于设计简单的电源监控电路。通过与电阻和晶体管配合,当电源电压低于或高于设定值时,触发报警或关断功能。 5. 浪涌抑制 - 在某些工业或汽车电子应用中,BZV85-C12,113 可以吸收瞬态电压浪涌,保护电路免受雷击、开关噪声或其他瞬态事件的影响。 特性总结: - 额定功率:1.3W(具体视封装而定) - 齐纳电压:12V - 工作温度范围广,适合多种环境条件 - 稳定性和可靠性高,适用于消费电子、工业设备和汽车电子等领域 总之,BZV85-C12,113 是一款性能可靠的齐纳二极管,适用于需要电压稳定和保护的各种电路设计。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | DIODE ZENER 12V 1.3W DO41稳压二极管 DIODE ZENER 5 PCT |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,稳压二极管,NXP Semiconductors BZV85-C12,113- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BZV85-C12,113 |
| PCN其它 | |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1V @ 50mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 200nA @ 8.4V |
| 产品种类 | 稳压二极管 |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 其它名称 | 568-3798-1 |
| 功率-最大值 | 1.3W |
| 功率耗散 | 1.3 W |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 容差 | ±5% |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | DO-204AL,DO-41,轴向 |
| 封装/箱体 | DO-41 |
| 工作温度 | -65°C ~ 200°C |
| 工厂包装数量 | 5000 |
| 最大反向漏泄电流 | 200 nA |
| 最大工作温度 | + 200 C |
| 最大齐纳阻抗 | 10 Ohms |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向电压下降 | 1 V at 50 mA |
| 电压-齐纳(标称值)(Vz) | 12V |
| 电压容差 | 5 % |
| 电压温度系数 | 8.55 mV/K |
| 配置 | Single |
| 阻抗(最大值)(Zzt) | 10 欧姆 |
| 零件号别名 | BZV85-C12 T/R |
| 齐纳电压 | 12.05 V |