【未分类_BZV55-B6V2,115】封装/厂家_BZV55-B6V2,115中文资料_价格

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型号： BZV55-B6V2,115
制造商： NXP Semiconductors
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供BZV55-B6V2,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BZV55-B6V2,115价格参考￥询价-￥询价。NXP SemiconductorsBZV55-B6V2,115封装/规格：未分类，暂无。您可以下载BZV55-B6V2,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BZV55-B6V2,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

BZV55-B6V2,115 是 Nexperia USA Inc. 生产的一款齐纳二极管，属于“二极管 - 齐纳 - 单”类别。这种器件的主要应用场景包括：

1. 电压稳压：  
   BZV55-B6V2,115 的齐纳电压为 6.2V（±5% 精度），适用于需要稳定电压的电路。例如，在电源电路中，它可以用来提供稳定的参考电压，确保后级电路在一定范围内正常工作。

2. 过压保护：  
   在敏感电子设备中，这款齐纳二极管可以用于防止输入电压过高。当输入电压超过齐纳电压时，二极管导通并将电压钳位到设定值，从而保护后续电路免受损害。

3. 信号电平调整：  
   在模拟信号处理电路中，BZV55-B6V2,115 可以用来限制信号幅度，确保信号电平保持在特定范围内。这在音频、视频或其他信号处理应用中非常有用。

4. 基准电压源：  
   由于其稳定的齐纳电压特性，该二极管可以用作简单的基准电压源。例如，在比较器或运算放大器电路中，提供一个精确的参考电压。

5. 浪涌抑制：  
   在瞬态电压抑制（TVS）应用中，这款齐纳二极管可以帮助吸收短时间内的高电压脉冲，保护电路不受雷击或开关操作引起的浪涌影响。

6. 电池充电保护：  
   在简单的电池充电电路中，BZV55-B6V2,115 可以用来监控和限制充电电压，避免电池过充。

7. 传感器接口电路：  
   在传感器信号调理电路中，齐纳二极管可用于保护敏感的输入端口，防止外部干扰或过高电压损坏传感器或后续处理电路。

需要注意的是，BZV55-B6V2,115 的功率耗散能力有限（通常为 0.5W 或更低），因此它更适合低功耗场景。在设计中，应确保流经齐纳二极管的电流在其额定范围内，以避免过热或损坏。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品半导体
描述	DIODE ZENER 6.2V 500MW LLDS稳压二极管 DIODE ZENER 2 PCT TAPE-7
产品分类	单二极管/齐纳分离式半导体
品牌	NXP Semiconductors
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	二极管与整流器,稳压二极管,NXP Semiconductors BZV55-B6V2,115-
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	BZV55-B6V2,115
PCN其它	点击此处下载产品Datasheet
不同If时的电压-正向(Vf)	900mV @ 10mA
不同 Vr时的电流-反向漏电流	3µA @ 4V
产品目录绘图
产品种类	稳压二极管
供应商器件封装	LLDS; MiniMelf
其它名称	568-6251-1
功率-最大值	500mW
功率耗散	500 mW
包装	剪切带（CT）
商标	NXP Semiconductors
安装类型	表面贴装
安装风格	SMD/SMT
容差	±2%
封装	Reel
封装/外壳	SOD-80C
封装/箱体	SOD-80
工作温度	-65°C ~ 200°C
工厂包装数量	2500
最大反向漏泄电流	3 uA
最大工作温度	+ 200 C
最大齐纳阻抗	10 Ohms
最小工作温度	- 65 C
标准包装	1
电压-齐纳（标称值）(Vz)	6.2V
电压容差	2 %
电压温度系数	2.3 mV/K
配置	Single
阻抗（最大值）(Zzt)	10 欧姆
零件号别名	BZV55-B6V2 T/R
齐纳电压	6.2 V