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  • 型号: BZV55-B3V9,115
  • 制造商: NXP Semiconductors
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BZV55-B3V9,115产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供BZV55-B3V9,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BZV55-B3V9,115价格参考。NXP SemiconductorsBZV55-B3V9,115封装/规格:二极管 - 齐纳 - 单, Zener Diode 3.9V 500mW ±2% Surface Mount SOD-80C。您可以下载BZV55-B3V9,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BZV55-B3V9,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

BZV55-B3V9,115 是 Nexperia USA Inc. 生产的一款齐纳二极管,属于二极管 - 齐纳 - 单分类。这种齐纳二极管的主要应用场景包括:

 1. 电压稳压
   BZV55-B3V9,115 的典型齐纳电压为 3.9V(具体值可能因批次略有差异),适用于低电压稳压电路。它可以在电源输出中提供稳定的参考电压,确保后级电路在电压波动时仍能正常工作。

 2. 过压保护
   在某些电子设备中,输入或输出端可能会出现瞬态过压情况。BZV55-B3V9,115 可以用于钳位过高的电压,保护敏感的下游元件免受损坏。例如,在信号传输线路或电源输入端加入齐纳二极管可以有效防止电压尖峰。

 3. 基准电压源
   齐纳二极管常被用作精密电路中的基准电压源。BZV55-B3V9,115 可为运放、比较器或其他模拟电路提供稳定的参考电压,从而提高整体电路的精度和稳定性。

 4. 信号电平调整
   在信号处理电路中,BZV55-B3V9,115 可用于限制信号的幅度。例如,在音频或射频电路中,它可以将信号电平控制在一定范围内,避免失真或损坏后续器件。

 5. ESD(静电放电)保护
   由于齐纳二极管具有快速响应特性,BZV55-B3V9,115 可用于保护电路免受静电放电的影响。它能够迅速将过高电压引导到地,从而保护核心元件。

 6. 电池充电保护
   在小型电池充电电路中,齐纳二极管可以用作电压检测元件,确保电池不会过充。BZV55-B3V9,115 的齐纳电压适合一些低电压电池系统(如单节锂电池或镍氢电池)的保护电路。

 总结
BZV55-B3V9,115 主要应用于需要稳定电压、过压保护或基准电压的场景。其小巧的封装形式和可靠的性能使其成为消费电子、工业设备和通信产品中的理想选择。在设计电路时,需根据实际需求选择合适的功率和齐纳电压参数,以确保最佳性能和安全性。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

DIODE ZENER 3.9V 500MW LLDS稳压二极管 DIODE ZENER 2 PCT

产品分类

单二极管/齐纳分离式半导体

品牌

NXP Semiconductors

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

二极管与整流器,稳压二极管,NXP Semiconductors BZV55-B3V9,115-

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产品型号

BZV55-B3V9,115

PCN其它

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不同If时的电压-正向(Vf)

900mV @ 10mA

不同 Vr时的电流-反向漏电流

3µA @ 1V

产品目录绘图

产品种类

稳压二极管

供应商器件封装

LLDS; MiniMelf

其它名称

568-11160-6

功率-最大值

500mW

功率耗散

500 mW

包装

Digi-Reel®

商标

NXP Semiconductors

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

容差

±2%

封装

Reel

封装/外壳

SOD-80C

封装/箱体

SOD-80

工作温度

-65°C ~ 200°C

工厂包装数量

2500

最大反向漏泄电流

3 uA

最大工作温度

+ 200 C

最大齐纳阻抗

90 Ohms

最小工作温度

- 65 C

标准包装

1

电压-齐纳(标称值)(Vz)

3.9V

电压容差

2 %

电压温度系数

- 2.5 mV/K

配置

Single

阻抗(最大值)(Zzt)

90 欧姆

零件号别名

BZV55-B3V9 T/R

齐纳电压

3.9 V

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