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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供1N5949BUR-1由American Microsemiconductor, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 1N5949BUR-1价格参考。American Microsemiconductor, Inc.1N5949BUR-1封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载1N5949BUR-1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有1N5949BUR-1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Microsemi Corporation生产的1N5949BUR-1是一款齐纳二极管,属于单齐纳二极管类别,具有稳定的电压基准特性。该器件广泛应用于需要精确电压参考和稳压功能的电子电路中。典型应用场景包括电源管理电路中的过压保护、电压钳位以及直流稳压电源中的基准电压源。由于其具备良好的温度稳定性和低动态阻抗,1N5949BUR-1常用于精密模拟电路、工业控制设备和通信系统中,确保关键节点电压的稳定性。此外,该型号采用小型化封装,适合空间受限的高密度电路板设计,适用于便携式电子设备、消费类电子产品及汽车电子模块。在电磁干扰较严重的环境中,它也可作为瞬态电压抑制元件,提升系统可靠性。总体而言,1N5949BUR-1凭借其可靠的性能和稳定的齐纳击穿电压(通常为20V左右),在需要精准电压控制和电路保护的多种工业与民用电子设备中发挥重要作用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 100V 1.25W DO-213AB |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10865-sa3-35-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 1N5949BUR-1 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 1µA @ 76V |
| 供应商器件封装 | DO-213AB |
| 功率-最大值 | 1.25W |
| 包装 | 散装 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 容差 | ±5% |
| 封装/外壳 | DO-213AB,MELF |
| 工作温度 | -65°C ~ 175°C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-齐纳(标称值)(Vz) | 100V |
| 阻抗(最大值)(Zzt) | 250 欧姆 |