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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供1N5359BG由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 1N5359BG价格参考。ON Semiconductor1N5359BG封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载1N5359BG参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有1N5359BG 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
1N5359BG 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的齐纳二极管,属于“二极管 - 齐纳 - 单”类别。其主要应用场景包括以下几个方面: 1. 电压稳压 - 1N5359BG 的齐纳击穿电压为 7.5V,常用于电路中的电压稳压功能。通过将齐纳二极管反向连接到负载电路中,可以确保输出电压在一定范围内保持稳定,适用于低功率的电源稳压电路。 2. 过压保护 - 在某些敏感电路中,1N5359BG 可以用作过压保护器件。当输入电压超过齐纳电压时,二极管会导通并将多余的能量分流到地,从而保护后续电路免受过高电压的影响。 3. 信号电平调整 - 在模拟电路或数字电路中,齐纳二极管可用于信号电平的调整。例如,通过与电阻配合使用,可以将输入信号限制在特定的电压范围内,避免信号失真或损坏。 4. 参考电压源 - 由于其稳定的击穿电压特性,1N5359BG 可作为简单的参考电压源,用于比较器电路、基准电压生成或其他需要精确电压值的应用场景。 5. 浪涌抑制 - 在电力电子设备中,齐纳二极管可以用来吸收瞬态电压浪涌。例如,在开关电源或电机驱动电路中,1N5359BG 可以帮助抑制因开关动作产生的电压尖峰。 6. 电池充电保护 - 在一些简单的电池充电电路中,齐纳二极管可以用作电压限制器,防止电池过充。通过设置合适的齐纳电压,可以确保充电电压不会超出电池的安全范围。 特性总结 - 额定功率:5W(大功率齐纳二极管) - 工作温度范围:-55°C 至 +150°C - 封装形式:DO-41 或 DO-204AD 1N5359BG 因其高功率和稳定的性能,广泛应用于工业控制、消费电子、通信设备以及汽车电子等领域,尤其适合需要可靠电压调节或保护的场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | DIODE ZENER 24V 5W AXIAL稳压二极管 24V 5W |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,稳压二极管,ON Semiconductor 1N5359BG- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | 1N5359BG |
| PCN设计/规格 | |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 1A |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 18.2V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 稳压二极管 |
| 供应商器件封装 | 轴向 |
| 其它名称 | 1N5359BG-ND |
| 功率-最大值 | 5W |
| 功率耗散 | 5 W |
| 包装 | 散装 |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 容差 | ±5% |
| 封装 | Bulk |
| 封装/外壳 | T-18,轴向 |
| 封装/箱体 | DO-35 |
| 工作温度 | -65°C ~ 200°C |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 最大反向漏泄电流 | 500 nA |
| 最大工作温度 | + 200 C |
| 最大齐纳阻抗 | 3.5 Ohms |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1,000 |
| 电压-齐纳(标称值)(Vz) | 24V |
| 电压容差 | 5 % |
| 电压调节准确度 | 550 mV |
| 系列 | 1N53 |
| 配置 | Single |
| 阻抗(最大值)(Zzt) | 3.5 欧姆 |
| 齐纳电压 | 24 V |
| 齐纳电流 | 198 mA |