【未分类_BZV55-B13,115】封装/厂家_BZV55-B13,115中文资料_价格

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型号： BZV55-B13,115
制造商： NXP Semiconductors
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供BZV55-B13,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BZV55-B13,115价格参考。NXP SemiconductorsBZV55-B13,115封装/规格：未分类，暂无。您可以下载BZV55-B13,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BZV55-B13,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

BZV55-B13,115 是 Nexperia USA Inc. 生产的一款齐纳二极管，属于二极管 - 齐纳 - 单类别。该型号的齐纳二极管具有以下应用场景：

1. 电压稳压：  
   BZV55-B13,115 的主要功能是提供稳定的参考电压。它可以在电源电路中用作电压调节器，确保输出电压在一定范围内保持恒定，适用于低功率电子设备中的电压稳定。

2. 过压保护：  
   在电路中，这款齐纳二极管可以用来防止电压过高对敏感元件造成损害。例如，在信号传输线路或电源输入端，它可以将电压限制在安全范围内。

3. 信号电平调整：  
   用于音频、视频或其他信号处理电路中，BZV55-B13,115 可以将输入信号的电平调整到适合后续电路处理的范围。

4. 基准电压源：  
   由于其稳定的齐纳击穿电压特性，该二极管可以用作精密基准电压源，为模拟电路（如运算放大器）或数字电路提供参考电压。

5. 浪涌抑制：  
   在电力系统或通信设备中，BZV55-B13,115 可以吸收瞬态电压浪涌，保护电路免受雷击或开关操作引起的过压影响。

6. 电池充电保护：  
   在便携式设备的电池充电电路中，齐纳二极管可用于监控和限制充电电压，避免电池过充。

7. 温度补偿电路：  
   结合其他元件，BZV55-B13,115 可用于设计温度补偿电路，以减少环境温度变化对电路性能的影响。

8. 振荡器和定时电路：  
   在某些振荡器或定时电路中，齐纳二极管可作为关键元件，提供精确的触发电压。

总之，BZV55-B13,115 适用于需要稳定电压、过压保护或信号处理的各种电子电路中，尤其适合低功耗和小型化设计的应用场景。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品半导体
描述	DIODE ZENER 13V 500MW LLDS稳压二极管 DIODE ZENER 2 PCT
产品分类	单二极管/齐纳分离式半导体
品牌	NXP Semiconductors
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	二极管与整流器,稳压二极管,NXP Semiconductors BZV55-B13,115-
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	BZV55-B13,115
PCN其它	点击此处下载产品Datasheet
不同If时的电压-正向(Vf)	900mV @ 10mA
不同 Vr时的电流-反向漏电流	100nA @ 8V
产品目录绘图
产品种类	稳压二极管
供应商器件封装	LLDS; MiniMelf
其它名称	568-6242-2 933827780115 BZV55-B13 T/R BZV55-B13 T/R-ND BZV55-B13,115-ND
功率-最大值	500mW
功率耗散	500 mW
包装	带卷（TR）
商标	NXP Semiconductors
安装类型	表面贴装
安装风格	SMD/SMT
容差	±2%
封装	Reel
封装/外壳	SOD-80C
封装/箱体	SOD-80
工作温度	-65°C ~ 200°C
工厂包装数量	2500
最大反向漏泄电流	100 nA
最大工作温度	+ 200 C
最大齐纳阻抗	30 Ohms
最小工作温度	- 65 C
标准包装	2,500
电压-齐纳（标称值）(Vz)	13V
电压容差	2 %
电压温度系数	9.4 mV/K
配置	Single
阻抗（最大值）(Zzt)	30 欧姆
零件号别名	BZV55-B13 T/R
齐纳电压	13 V
齐纳电流	250 mA