Datasheet下载- 型号： BZT52H-B13,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BZT52H-B13,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BZT52H-B13,115价格参考￥0.12-￥0.12。NXP SemiconductorsBZT52H-B13,115封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BZT52H-B13,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BZT52H-B13,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BZT52H-B13,115 是恩智浦（NXP USA Inc.）推出的高性能齐纳二极管，属于BZT52H系列（SOD-123FL超小型扁平引线封装），标称稳压值为13 V（容差±2%，即12.74–13.26 V），额定功率为500 mW，最大反向电流IZM约38 mA。 其典型应用场景包括： 1. 电源电压钳位与过压保护：在低压数字电路（如MCU、传感器接口、I²C/SPI总线）中，用于抑制瞬态浪涌或ESD脉冲，防止后级芯片因电压超标而损坏； 2. 基准电压源：为ADC参考、比较器阈值或简单稳压电路提供稳定13 V基准（需配合限流电阻及低噪声设计）； 3. 信号电平限制：在模拟前端或音频电路中，限制输入/输出信号幅值，避免运放饱和或ADC超量程； 4. LED恒流驱动辅助稳压：在简易恒流源中作为电压设定点，提升电流稳定性； 5. 工业与汽车电子板级保护：得益于SOD-123FL封装的小尺寸、高可靠性及AEC-Q200兼容性（该型号符合车规级工艺要求），适用于车载信息娱乐系统、车身控制模块等空间受限且需稳健防护的场景。 注意：实际应用中需严格计算功耗（P = VZ × IZ），确保不超过额定功率，并配合合适的限流电阻以保障长期可靠性。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | DIODE ZENER 13V 375MW SOD123F稳压二极管 13.3V 8uA 10Ohm |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,稳压二极管,NXP Semiconductors BZT52H-B13,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BZT52H-B13,115 |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 900mV @ 10mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 100nA @ 8V |
| 产品种类 | 稳压二极管 |
| 供应商器件封装 | SOD-123F |
| 其它名称 | 934064797115 |
| 功率-最大值 | 375mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 容差 | ±5% |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOD-123F |
| 封装/箱体 | SOD-123F |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 最大反向漏泄电流 | 8 uA |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大齐纳阻抗 | 10 Ohms |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 13V |
| 电压温度系数 | 11 mV/K |
| 配置 | Single |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 10 欧姆 |
| 齐纳电压 | 13.3 V |
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