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Datasheet下载- 型号： BUL381D
- 制造商： STMicroelectronics
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BUL381D产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BUL381D由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BUL381D价格参考。STMicroelectronicsBUL381D封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单， 双极 (BJT) 晶体管 NPN 400V 5A 70W 通孔 TO-220AB。您可以下载BUL381D参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BUL381D 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics的BUL381D是一款双极型晶体管（BJT），具体为NPN型。这种晶体管广泛应用于多种电子电路中，尤其适合用于开关和放大应用。以下是其主要应用场景： 1. 开关应用 BUL381D常用于开关电路中，尤其是在需要高电流驱动能力的场合。它可以在饱和区和截止区之间快速切换，实现对负载的有效控制。例如，在电源管理、电机驱动、继电器控制等场景中，BUL381D可以作为开关元件，控制大电流设备的通断。 2. 信号放大 在音频放大器、传感器信号调理电路中，BUL381D可以用作放大器的核心元件。它能够将微弱的输入信号放大到足够高的电平，以驱动后续的负载或处理电路。由于其低噪声特性，BUL381D在音频和通信领域也有广泛应用。 3. 功率放大 BUL381D具有较高的集电极电流（IC）和功率耗散能力，因此适用于功率放大电路。它可以用于设计线性功率放大器，特别是在需要较高输出功率的场合，如无线电发射机、音频功放等。 4. 保护电路 在一些保护电路中，BUL381D可以用作过流保护或短路保护元件。通过检测电流的变化，当电流超过设定阈值时，BUL381D可以迅速切断电路，防止损坏其他敏感元件。 5. 温度传感与补偿 双极型晶体管的基射极电压（VBE）随温度变化而变化，因此BUL381D也可以用于温度传感电路中。通过测量VBE的变化，可以间接获取环境温度信息，进而用于温度补偿或其他温度控制应用。 总结 BUL381D凭借其出色的电流承载能力和稳定的性能，适用于多种工业、消费电子和通信领域的电路设计。无论是作为开关元件还是放大器，它都能提供可靠的工作表现，满足不同应用场景的需求。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANSISTOR POWER NPN TO-220两极晶体管 - BJT NPN Hi-Volt Fast Sw |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,STMicroelectronics BUL381D- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BUL381D |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 1.1V @ 750mA，3A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 8 @ 2A，5V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | Power Bipolar Transistors |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 其它名称 | 497-7202-5 |
| 其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL822/SC84/PF75095?referrer=70071840 |
| 功率-最大值 | 70W |
| 包装 | 管件 |
| 发射极-基极电压VEBO | 9 V |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大功率耗散 | 70000 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 5 A |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 50 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 400V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 5A |
| 电流-集电极截止（最大值） | 250µA |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 10 |
| 系列 | BUL381D |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 400 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 800 V |
| 频率-跃迁 | - |
