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  • 型号: BD242BG
  • 制造商: ON Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供BD242BG由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BD242BG价格参考。ON SemiconductorBD242BG封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载BD242BG参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BD242BG 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

TRANS PNP 80V 3A BIPO TO220AB两极晶体管 - BJT 3A 80V 40W PNP

产品分类

晶体管(BJT) - 单路分离式半导体

品牌

ON Semiconductor

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor BD242BG-

数据手册

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产品型号

BD242BG

不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

1.2V @ 600mA,3A

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

25 @ 1A,4V

产品种类

Transistors Bipolar- General Purpose

供应商器件封装

TO-220AB

功率-最大值

40W

包装

管件

发射极-基极电压VEBO

5 V

商标

ON Semiconductor

增益带宽产品fT

3 MHz

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-220-3

封装/箱体

TO-220-3

工厂包装数量

50

晶体管极性

PNP

晶体管类型

PNP

最大功率耗散

40 W

最大工作温度

+ 150 C

最大直流电集电极电流

3 A

最小工作温度

- 65 C

标准包装

50

电压-集射极击穿(最大值)

80V

电流-集电极(Ic)(最大值)

3A

电流-集电极截止(最大值)

300µA

直流集电极/BaseGainhfeMin

25

系列

BD242B

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

100 V

集电极—基极电压VCBO

115 V

集电极—射极饱和电压

1.2 V

集电极连续电流

3 A

频率-跃迁

3MHz

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