Datasheet下载- 型号： BUK9E6R1-100E,127
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BUK9E6R1-100E,127由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BUK9E6R1-100E,127价格参考。NXP SemiconductorsBUK9E6R1-100E,127封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BUK9E6R1-100E,127参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BUK9E6R1-100E,127 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BUK9E6R1-100E,127 是恩智浦（NXP USA Inc.）推出的高性能N沟道逻辑电平增强型MOSFET，采用LFPAK56封装，具有低导通电阻（Rds(on)典型值仅6.1 mΩ @ Vgs=10V）、100V耐压、连续漏极电流达120A（Tc=25°C），并集成ESD保护与快速体二极管。 该器件主要面向高效率、高功率密度的中压开关应用，典型应用场景包括： ✅ 汽车电子：车载DC-DC转换器（如48V/12V双向变换）、电动助力转向（EPS）电机驱动、车身控制模块（BCM）中的负载开关与LED前照灯调光； ✅ 工业电源：服务器/通信设备的同步整流、热插拔电路、OR-ing二极管替代方案； ✅ 电机控制：中小功率无刷直流（BLDC）电机驱动半桥/全桥下管； ✅ 可再生能源：光伏逆变器辅助电源、储能系统（ESS）的电池保护与充放电开关。 其逻辑电平驱动特性（Vgs(th)低至1.0–2.1V）可直接兼容3.3V/5V MCU或栅极驱动IC，简化外围设计；LFPAK56封装具备优异热性能与抗机械应力能力，满足AEC-Q101汽车级可靠性认证，适用于严苛环境。 综上，该MOSFET适用于对导通损耗、开关速度、可靠性和空间受限有较高要求的中高压、大电流开关场景，尤其在汽车和工业电源领域优势显著。（字数：398）
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BUK9E6R1-100E,127 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.1V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 17460pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 133nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 5.9 毫欧 @ 25A，10V |
| 供应商器件封装 | I2PAK |
| 其它名称 | 568-9877-5 |
| 功率-最大值 | 349W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 120A （Ta） |
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