Datasheet下载- 型号： BUK9E2R8-60E,127
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BUK9E2R8-60E,127由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BUK9E2R8-60E,127价格参考。NXP SemiconductorsBUK9E2R8-60E,127封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BUK9E2R8-60E,127参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BUK9E2R8-60E,127 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BUK9E2R8-60E,127 是 NXP USA Inc. 推出的一款高性能 N 沟道逻辑电平增强型 MOSFET，采用 LFPAK56（Power-SO8）封装。其关键参数包括：VDS = 60 V、RDS(on) 典型值仅 2.8 mΩ（VGS = 10 V）、ID（连续）达 100 A（Tc = 25°C），具备低导通损耗与优异热性能。 该器件主要面向中高功率、高效率、空间受限的汽车电子与工业控制场景。典型应用包括： ✅ 汽车电子：车载电源管理（如 BCM 车身控制模块中的负载开关、LED 大灯驱动、雨刷/车窗电机驱动）、12 V/24 V 电池供电系统中的智能高边/低边开关；符合 AEC-Q101 认证，支持严苛车载环境（-40°C 至 +175°C 结温）。 ✅ 工业领域：PLC 输出模块、直流断路器、电动工具电池保护电路、DC-DC 同步整流（如降压转换器下管）、UPS 和服务器电源的次级侧开关。 ✅ 其他：高可靠性固态继电器（SSR）、电机启动/制动控制、LED 照明调光驱动等需快速开关、低发热与强抗干扰能力的场合。 其逻辑电平驱动特性（VGS(th) ≈ 1–2.5 V）可直接由 MCU 或 FPGA 的 3.3 V/5 V IO 驱动，简化外围电路；内置体二极管具备软恢复特性，有助于降低 EMI。综合来看，该器件适用于对效率、可靠性和集成度要求较高的中压大电流开关应用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 120A I2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BUK9E2R8-60E,127 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.1V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 17450pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 120nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 2.6 毫欧 @ 25A，10V |
| 供应商器件封装 | I2PAK |
| 其它名称 | 568-9872-5 |
| 功率-最大值 | 349W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 120A （Ta） |
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