Datasheet下载- 型号： BUK9E04-30B,127
- 制造商： NXP Semiconductors
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BUK9E04-30B,127由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BUK9E04-30B,127价格参考。NXP SemiconductorsBUK9E04-30B,127封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BUK9E04-30B,127参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BUK9E04-30B,127 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BUK9E04-30B,127 是 NXP USA Inc. 推出的一款采用 LFPAK56（Power-SO8）封装的 N 沟道逻辑电平增强型 MOSFET，具有 30 V 漏源电压（VDS）、最大 40 A 连续漏极电流（ID，Tc=25°C）、极低导通电阻（RDS(on) 典型值仅 4.0 mΩ @ VGS=10 V，4.8 mΩ @ VGS=4.5 V），并支持 3.3 V/5 V 微控制器直接驱动。 其典型应用场景包括： ✅ 汽车电子：如车身控制模块（BCM）中的车窗升降、座椅调节、LED 大灯调光、风扇/泵驱动等低压直流负载开关；符合 AEC-Q101 可靠性标准，适用于严苛车载环境。 ✅ 工业控制：PLC 输出模块、继电器替代、电机启停控制（如小型直流有刷电机）、电源管理中的高效同步整流或负载开关。 ✅ 消费与计算设备：笔记本电脑/服务器的板级电源分配（e.g., CPU/GPU 供电的次级侧开关）、USB PD 电源路径管理、热插拔保护电路。 ✅ 电池供电系统：电动工具、扫地机器人等 12–24 V 系统中的高效率功率开关，得益于低 RDS(on) 和小封装带来的散热优势。 该器件集成低阈值电压（VGS(th) 1–2.2 V）、快速开关特性（ton/toff 约 10/7 ns）及强雪崩耐受能力，兼顾能效、可靠性与设计紧凑性。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 75A I2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BUK9E04-30B,127 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 6526pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 56nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 3 毫欧 @ 25A，10V |
| 供应商器件封装 | I2PAK |
| 其它名称 | 568-6637 |
| 功率-最大值 | 254W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 75A （Tmb） |
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