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产品简介:
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BUK9608-55A,118 是 NXP USA Inc. 推出的一款 N 沟道增强型逻辑电平 MOSFET,采用 TO-220AB 封装,具有 55 V 漏源电压(VDS)、80 A 连续漏极电流(ID,Tc=25°C)及极低导通电阻(RDS(on) 典型值仅 7.5 mΩ @ VGS=10 V),支持逻辑电平驱动(VGS(th) 低至 1–2.5 V),开关速度快、功耗低。 该器件典型应用于中高功率直流控制场景,包括: ✅ 汽车电子:车身控制模块(BCM)中的座椅加热、车窗升降、雨刮器、风扇/水泵驱动等 12 V/24 V 系统负载开关;符合 AEC-Q101 可靠性标准,具备抗浪涌与雪崩耐量(UIS rated),适合严苛车载环境。 ✅ 工业控制:PLC 输出模块、继电器替代、电机启停控制(如小型直流有刷电机)、LED 照明调光/驱动电源的主开关。 ✅ 电源管理:DC-DC 转换器(如同步整流)、电池保护电路(充放电开关)、热插拔(Hot-swap)及负载开关应用。 其低 RDS(on) 和高电流能力可减少发热,简化散热设计;TO-220 封装便于安装与维护,广泛适配于需可靠、高效、单管大电流开关的中功率嵌入式系统。不适用于高频射频或高压(>60 V)场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 55V 75A D2PAKMOSFET TAPE13 PWR-MOS |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 125 A |
| Id-连续漏极电流 | 125 A |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors BUK9608-55A,118TrenchMOS™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BUK9608-55A,118 |
| Pd-PowerDissipation | 253 W |
| Pd-功率耗散 | 253 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 7.5 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 7.5 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 55 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 55 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 10 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 10 V |
| 上升时间 | 175 ns |
| 下降时间 | 167 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 6021pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 92nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 7.5 毫欧 @ 25A,10V |
| 产品种类 | MOSFETs - Arrays |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 其它名称 | 568-8031-6 |
| 典型关闭延迟时间 | 280 ns |
| 功率-最大值 | 253W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
| 封装/箱体 | SOT-404-3 |
| 工厂包装数量 | 800 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 55V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 75A (Tmb) |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | /T3 BUK9608-55A |