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  • 型号: BUK9575-55A,127
  • 制造商: NXP Semiconductors
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供BUK9575-55A,127由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BUK9575-55A,127价格参考。NXP SemiconductorsBUK9575-55A,127封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载BUK9575-55A,127参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BUK9575-55A,127 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

BUK9575-55A,127 是 Nexperia USA Inc. 推出的一款 N 沟道增强型逻辑电平 MOSFET(单个封装),采用 TO-220AB 封装,具有 55 V 漏源电压(VDS)、75 A 连续漏极电流(ID,TC=25°C)及极低导通电阻(RDS(on) 典型值仅 8.5 mΩ @ VGS=10 V),支持 4.5 V 逻辑电平驱动,具备高效率、强鲁棒性与AEC-Q101汽车级可靠性认证。

其典型应用场景包括:  
✅ 汽车电子:车身控制模块(BCM)中的车灯驱动(前照灯、尾灯、转向灯)、雨刮电机、座椅调节电机、风扇/水泵控制等中功率负载开关;  
✅ 工业控制:PLC 输出模块、继电器替代、直流电机正反转驱动、电源管理中的负载开关与热插拔保护;  
✅ 电源系统:DC-DC 转换器次级侧同步整流(适用于中低压大电流场合)、电池管理系统(BMS)中的充放电主回路开关;  
✅ 消费与家电:高端电动工具、智能家电(如变频空调压缩机辅助驱动、洗衣机排水泵控制)等需高可靠性、低功耗切换的场景。

该器件内置ESD保护与雪崩耐量(EAS=320 mJ),支持无铅回流焊,符合RoHS与AEC-Q101标准,特别适用于对安全性、寿命和温度稳定性要求严苛的车载及工业环境。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 55V 20A TO220ABMOSFET RAIL PWR-MOS

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

20 A

Id-连续漏极电流

20 A

品牌

NXP Semiconductors

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors BUK9575-55A,127TrenchMOS™

数据手册

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产品型号

BUK9575-55A,127

Pd-PowerDissipation

62 W

Pd-功率耗散

62 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

68 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

68 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

55 V

Vds-漏源极击穿电压

55 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 10 V

Vgs-栅源极击穿电压

10 V

上升时间

47 ns

下降时间

33 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2V @ 1mA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

643pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

-

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

68 毫欧 @ 10A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-220AB

其它名称

934056258127
BUK9575-55A
BUK9575-55A-ND

典型关闭延迟时间

28 ns

功率-最大值

62W

包装

管件

商标

NXP Semiconductors

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-220-3

封装/箱体

TO-220-3

工厂包装数量

1000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 175 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

50

漏源极电压(Vdss)

55V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

20A (Tc)

通道模式

Enhancement

配置

Single

零件号别名

BUK9575-55A

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