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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供BUK7Y35-55B,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BUK7Y35-55B,115价格参考。NXP SemiconductorsBUK7Y35-55B,115封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载BUK7Y35-55B,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BUK7Y35-55B,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BUK7Y35-55B,115 是 NXP USA Inc. 推出的一款 N 沟道增强型逻辑电平 MOSFET(单个封装),采用 TO-220AB 封装,具有低导通电阻(RDS(on) ≤ 35 mΩ @ VGS = 10 V)、高雪崩耐量及强抗短路能力。其典型应用场景包括: - 汽车电子系统:广泛用于 12V/24V 车载电源管理,如车身控制模块(BCM)中的座椅调节、车窗升降、雨刮器、灯光开关等负载驱动;符合 AEC-Q101 汽车级可靠性标准,支持严苛温度(-40°C 至 +175°C 结温)与振动环境。 - 工业控制:适用于继电器替代、电机启停控制(如小型直流风机、泵类)、PLC 输出模块及电源开关电路,凭借低驱动要求(可被 3.3V/5V 微控制器直接驱动)简化外围设计。 - 电源管理:用作 DC-DC 转换器的同步整流开关、电池保护电路(如充放电路径控制)、LED 驱动恒流开关等,兼顾效率与热稳定性。 该器件集成单片硅基结构,具备快速开关特性(ton/toff 约数十纳秒)和内置 ESD 保护,适合中功率(连续漏极电流 ID = 55 A,脉冲达 220 A)开关应用,兼具高可靠性与成本效益。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 55V 28.43A LFPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | BUK7Y35-55B,115 |
| PCN设计/规格 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 781pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 13.1nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 35 毫欧 @ 15A,10V |
| 供应商器件封装 | LFPAK56, Power-SO8 |
| 其它名称 | 568-5520-6 |
| 功率-最大值 | 60W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SC-100,SOT-669,4-LFPAK |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 55V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 28.43A (Tc) |