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产品简介:
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BUK7E1R8-40E,127 是 Nexperia 推出的 N 沟道增强型逻辑电平 MOSFET,采用 LFPAK56(Power-SO8)封装,具有超低导通电阻(RDS(on) ≤ 1.8 mΩ @ VGS = 10 V)、40 V 耐压及高达 120 A 的脉冲电流能力。其典型应用场景包括: - 汽车电子:广泛用于车载电源管理,如车身控制模块(BCM)中的座椅/车窗/灯光驱动、雨刷电机控制、LED 前照灯调光与开关,符合 AEC-Q101 认证,具备高可靠性与抗扰性; - 工业电源与负载开关:适用于 12 V/24 V 系统的高效 DC-DC 同步整流、热插拔保护、智能配电单元(PDU)及 PLC 输出驱动; - 电动工具与电池供电设备:凭借低 RDS(on) 和优异热性能,适配无刷电机驱动的半桥/高边开关,提升能效并减小散热设计负担; - 服务器与通信电源:用于 48 V 输入的 POL(点对点)转换器、OR-ing 二极管替代方案及冗余电源切换,降低功耗与温升。 该器件支持逻辑电平驱动(VGS(th) 低至 1.0–2.1 V),可直接由 MCU 或 FPGA 控制,简化驱动电路;LFPAK56 封装兼具高功率密度与优良热传导性,适合紧凑型高可靠性设计。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | BUK7E1R8-40E,127 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 11340pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 145nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 1.8 毫欧 @ 25A,10V |
| 供应商器件封装 | I2PAK |
| 其它名称 | 568-9849-5 |
| 功率-最大值 | 349W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 40V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 120A (Ta) |