Datasheet下载- 型号： BUK7619-100B,118
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BUK7619-100B,118由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BUK7619-100B,118价格参考。NXP SemiconductorsBUK7619-100B,118封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BUK7619-100B,118参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BUK7619-100B,118 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BUK7619-100B,118 是恩智浦（NXP USA Inc.）推出的N沟道增强型逻辑电平MOSFET，采用TO-220AB封装，具有100V漏源电压（VDS）、典型导通电阻RDS(on)为19mΩ（VGS=10V）、连续漏极电流ID达75A（Tc=25°C），具备低开关损耗与良好热稳定性。 其典型应用场景包括： ✅ 汽车电子：车载电源管理（如BCM车身控制模块中的负载开关、雨刮/车窗电机驱动）、LED前照灯调光/开关、12V/24V直流负载保护；符合AEC-Q101汽车级可靠性标准。 ✅ 工业控制：PLC输出模块、继电器替代、DC-DC转换器次级侧同步整流、电机启停控制（如小型风机、泵类）。 ✅ 电源系统：开关电源（SMPS）中的高压侧/低压侧开关、电池管理系统（BMS）的充放电保护回路、UPS和逆变器的功率切换。 ✅ 消费与家电：大功率智能插座、电动工具驱动电路、电磁阀/加热元件控制等中高电流直流开关应用。 该器件支持逻辑电平驱动（VGS(th)低至1–2.5V），可直接由MCU或驱动IC（如NXP的UBS系列）控制，简化外围设计；内置ESD保护与雪崩耐量（EAS=310mJ），提升系统鲁棒性。适用于需高效率、高可靠性和紧凑布局的中功率开关场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 64A D2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BUK7619-100B,118 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3400pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 53nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 19 毫欧 @ 25A，10V |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 其它名称 | 568-5853-6 |
| 功率-最大值 | 200W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 64A （Tc） |
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