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产品简介:
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BUK754R0-55B,127 是 NXP USA Inc. 推出的一款 N 沟道增强型逻辑电平 MOSFET,采用 TO-220AB 封装,具有低导通电阻(RDS(on) ≤ 4.0 mΩ @ VGS = 10 V)、55 V 耐压和高达 120 A 的脉冲漏极电流能力。其典型应用场景包括: - 汽车电子系统:广泛用于车身控制模块(BCM)、车灯驱动(如前照灯、LED 照明开关)、雨刷电机、座椅调节、风扇控制等中高功率负载的开关控制,符合 AEC-Q101 可靠性标准,支持严苛车载环境。 - 工业电源与电机驱动:适用于 DC-DC 降压转换器(同步整流)、电动工具驱动、小型泵/风机控制、PLC 输出模块等需高效、低热耗的中功率开关场合。 - 电源管理:常作为主功率开关或负载开关(Load Switch),用于服务器电源、通信设备电源板、电池管理系统(BMS)中的过流保护与电源路径管理。 - 消费类设备:在大功率适配器、UPS、智能家电(如变频空调压缩机辅助驱动、高端吸尘器电机控制)中提供可靠、高效的功率切换。 该器件具备快速开关特性、内置 ESD 保护及良好的热稳定性,配合逻辑电平驱动(VGS(th) 低至 1.0–2.5 V),可直接由 MCU 或驱动 IC 控制,简化电路设计。注意实际应用中需合理设计散热(如加装散热片)并确保栅极驱动稳定,以发挥其高性能优势。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 55V 75A TO220ABMOSFET HIGH PERF TRENCHMOS |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 193 A |
| Id-连续漏极电流 | 193 A |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors BUK754R0-55B,127TrenchMOS™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BUK754R0-55B,127 |
| Pd-PowerDissipation | 300 W |
| Pd-功率耗散 | 300 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 4 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 4 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 55 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 55 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 51 ns |
| 下降时间 | 41 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 6776pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 86nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 4 毫欧 @ 25A,10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 其它名称 | 568-6625 |
| 典型关闭延迟时间 | 71 ns |
| 功率-最大值 | 300W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 55V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 75A (Tmb) |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | BUK754R0-55B |