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详细数据请看参考数据手册
- 型号： BUK753R1-40B,127
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BUK753R1-40B,127由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BUK753R1-40B,127价格参考。NXP SemiconductorsBUK753R1-40B,127封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BUK753R1-40B,127参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BUK753R1-40B,127 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BUK753R1-40B,127 是 NXP USA Inc.（恩智浦）推出的单通道 N 沟道增强型逻辑电平 MOSFET，主要面向高效率、中大电流开关应用。其典型参数包括：VDS = 40 V、RDS(on) ≤ 3.1 mΩ（在 VGS = 10 V 时），ID（连续）达 120 A（TO-220AB 封装，带散热条件），具备低导通损耗和快速开关特性。 该器件广泛应用于： ✅ 汽车电子：如车身控制模块（BCM）中的车灯驱动（前照灯、尾灯、雾灯）、电机控制（风扇、雨刮、座椅调节）、电源分配开关及电池管理系统（BMS）的预充电/主回路开关；符合 AEC-Q101 可靠性标准，支持严苛车载环境。 ✅ 工业电源与电机驱动：DC-DC 降压转换器（如 POL 模块）、电动工具、泵类/压缩机驱动、PLC 输出级等需高电流、低热耗的开关场景。 ✅ 消费与计算设备：高端服务器/工作站的板载电源管理、大功率 USB PD 供电路径开关、固态继电器（SSR）替代方案等。 其逻辑电平兼容性（VGS(th) 约 1–2.5 V）便于直接由 MCU 或 FPGA 驱动，无需额外电平转换或驱动芯片，简化设计并提升系统响应速度。封装为 TO-220AB，兼顾散热性能与安装便利性。 综上，该MOSFET适用于对导通电阻、开关速度、可靠性和集成度要求较高的中高压、大电流直流开关场合，尤其在汽车与工业领域具有突出优势。（字数：398）
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 40V 75A TO220AB |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BUK753R1-40B,127 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 6808pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 94nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 3.1 毫欧 @ 25A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 其它名称 | 568-6623 |
| 功率-最大值 | 300W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 40V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 75A (Tmb) |
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