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  • 型号: BUK7107-55AIE,118
  • 制造商: NXP Semiconductors
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供BUK7107-55AIE,118由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BUK7107-55AIE,118价格参考。NXP SemiconductorsBUK7107-55AIE,118封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载BUK7107-55AIE,118参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BUK7107-55AIE,118 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

BUK7107-55AIE,118 是恩智浦(NXP USA Inc.)推出的N沟道增强型逻辑电平MOSFET,采用LFPAK56(Power-SO8)封装,具有低导通电阻(RDS(on) ≤ 12.5 mΩ @ VGS = 10 V)、高雪崩耐量及AEC-Q101汽车级认证。其典型应用场景聚焦于汽车电子系统中的中等功率开关控制,包括:  
- 车身电子:如车灯(LED前照灯、尾灯)驱动、电动座椅/后视镜调节电机控制、雨刮器电机驱动;  
- 电源管理:车载DC-DC转换器次级侧同步整流、电池管理系统(BMS)中的充放电保护开关;  
- 辅助系统:HVAC鼓风机调速、燃油泵控制、电子节气门驱动等需高可靠性、抗干扰与宽温运行(-55°C 至 +175°C)的场景。  
该器件支持逻辑电平驱动(VGS(th) 低至1–2.5 V),可直接由MCU(如NXP S32K系列)IO口控制,简化驱动电路;内置ESD保护与强dv/dt抗扰能力,满足严苛车载EMC要求。不适用于高频开关电源主拓扑或大电流逆变器(如主驱逆变),因其额定VDSS为55 V、ID连续为40 A(Tc=25°C),更适配12 V/24 V车载低压系统。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK

产品分类

FET - 单

FET功能

电流感测

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

品牌

NXP Semiconductors

数据手册

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产品图片

产品型号

BUK7107-55AIE,118

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 1mA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

4500pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

116nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

7 毫欧 @ 50A,10V

供应商器件封装

D2PAK

其它名称

934057272118
BUK7107-55AIE /T3
BUK7107-55AIE /T3-ND

功率-最大值

272W

包装

带卷 (TR)

安装类型

表面贴装

封装/外壳

TO-263-5,D²Pak(4 引线+接片),TO-263BB

标准包装

800

漏源极电压(Vdss)

55V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

75A (Tc)

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