Datasheet下载- 型号： BUK653R4-40C,127
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BUK653R4-40C,127由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BUK653R4-40C,127价格参考。NXP SemiconductorsBUK653R4-40C,127封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BUK653R4-40C,127参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BUK653R4-40C,127 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BUK653R4-40C,127 是 NXP USA Inc. 推出的一款 N 沟道增强型逻辑电平 MOSFET（单管），采用 TO-220AB 封装，具有低导通电阻（RDS(on) ≤ 3.4 mΩ @ VGS = 10 V）、40 V 耐压和高达 120 A 的脉冲漏极电流能力。 该器件主要面向高效率、大电流的中低压开关应用，典型应用场景包括： - 汽车电子：车身控制模块（BCM）中的座椅/车窗/雨刮电机驱动、LED 大灯调光与开关、启动继电器替代（如智能电源分配单元）；其 AEC-Q101 认证确保满足车载环境的可靠性要求。 - 工业电源与电机控制：DC-DC 降压转换器（如 12 V/24 V 输入系统）的同步整流开关、无刷直流（BLDC）电机的相位驱动（尤其适用于中小功率风机、泵类负载）。 - 服务器与通信设备：热插拔（Hot-swap）保护电路、冗余电源 OR-ing 二极管替代方案，利用其低 RDS(on) 减小功耗与温升。 - 消费类电源适配器：高能效 USB PD 快充协议中的次级同步整流开关（需配合控制器使用）。 其逻辑电平特性（VGS(th) 典型值 2.0 V）支持 3.3 V/5 V MCU 直接驱动，简化了栅极驱动设计；内置 ESD 保护与雪崩耐量（UIS）进一步提升系统鲁棒性。需注意散热设计（TO-220 需配合适当散热器）以发挥持续大电流性能。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH TRENCH TO220AB |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BUK653R4-40C,127 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.8V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 8020pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 125nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 3.6 毫欧 @ 25A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 其它名称 | 568-7496-5 |
| 功率-最大值 | 204W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 40V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 100A （Tmb） |
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