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- 型号： BUK6208-40C,118
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BUK6208-40C,118由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BUK6208-40C,118价格参考。NXP SemiconductorsBUK6208-40C,118封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BUK6208-40C,118参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BUK6208-40C,118 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BUK6208-40C,118 是恩智浦（NXP）推出的N沟道逻辑电平增强型MOSFET，采用SOT-404（D2PAK）封装，耐压40V，连续漏极电流达80A（Tc=25°C），导通电阻Rds(on)典型值仅3.5mΩ（Vgs=10V），具备低开关损耗与高效率特性。其主要应用场景包括： - 汽车电子：广泛用于车载电源管理，如DC-DC转换器、电机驱动（车窗升降、座椅调节、冷却风扇控制）、LED车灯调光/驱动及启动/停止系统中的负载开关。 - 工业电源与电机控制：适用于中功率开关电源（SMPS）、电池供电设备的主开关、BLDC电机驱动半桥/全桥电路，以及PLC输出模块中的固态继电器替代方案。 - 消费类设备：用于大电流便携设备（如电动工具、无人机电调）、USB PD快充协议中的同步整流或功率路径管理。 该器件支持逻辑电平驱动（Vgs(th)低至1.0–2.1V），可直接由MCU/ASIC（3.3V或5V IO）驱动，简化外围电路；内置ESD保护与雪崩耐量（EAS=420mJ），提升系统鲁棒性。需注意：实际应用中应合理设计PCB散热（大面积铜箔+过孔），并配合栅极驱动优化以抑制振铃与EMI。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH TRENCH DPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BUK6208-40C,118 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.8V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3720pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 67nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 6.2 毫欧 @ 15A，10V |
| 供应商器件封装 | DPAK |
| 其它名称 | 568-6979-6 |
| 功率-最大值 | 128W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 40V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 90A （Tmb） |
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