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详细数据请看参考数据手册
- 型号： BTS112A
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BTS112A由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BTS112A价格参考。InfineonBTS112A封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BTS112A参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BTS112A 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BTS112A 是英飞凌（Infineon Technologies）推出的N沟道垂直功率MOSFET，采用PG-TO252-3（DPAK）封装，具备低导通电阻（RDS(on) ≈ 12 mΩ @ VGS = 10 V）、高电流能力（ID = 60 A）及增强型逻辑电平驱动特性（VGS(th) 约2–4 V），支持3.3 V/5 V微控制器直接驱动。 其典型应用场景包括： ✅ 汽车电子：作为车载继电器替代方案，用于车身控制模块（BCM）中的车灯（大灯、雾灯、转向灯）、雨刮电机、座椅调节、风扇/水泵等中小功率负载的开关控制；符合AEC-Q101可靠性标准，具备过温、短路和雪崩耐受保护（需外部电路配合）。 ✅ 工业控制：PLC输出模块、智能传感器驱动、DC-DC电源次级侧同步整流（中低频）、电机启停控制（如步进/直流有刷电机）等。 ✅ 消费与家电：高端家电（如洗衣机排水泵、空调辅助风机）、电动工具电池保护板中的主开关或充放电路径控制。 BTS112A强调高鲁棒性与系统简化设计，内置ESD防护与优化的寄生二极管（体二极管），适用于12 V/24 V低压直流系统，尤其适合对空间、热管理及功能安全（ASIL兼容设计）有要求的汽车级应用。注意：实际使用中需合理设计PCB散热焊盘、栅极驱动电阻及瞬态电压抑制（如TVS）以保障长期可靠性。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| ChannelMode | Enhancement |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 6.7 A |
| Id-连续漏极电流 | 6.7 A |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 产品目录 | 半导体 |
| 描述 | MOSFET N-Channel 60V TEMPFET |
| 产品分类 | 分离式半导体 |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 否 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Infineon Technologies BTS112A |
| 产品型号 | BTS112A |
| Pd-PowerDissipation | 40000 mW |
| Pd-功率耗散 | 40 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 150 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 150 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 30 ns |
| 下降时间 | 55 ns |
| 产品种类 | MOSFET |
| 典型关闭延迟时间 | 40 ns |
| 商标 | Infineon Technologies |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 系列 | BTS112 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | BTS112ANKSA1 SP000011185 |
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