图片仅供参考
详细数据请看参考数据手册
- 型号： BSO203P
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BSO203P由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BSO203P价格参考。InfineonBSO203P封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BSO203P参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BSO203P 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BSO203P 是英飞凌（Infineon Technologies）推出的双通道P沟道增强型MOSFET阵列（采用TSDSON-8封装），内置两个匹配的P-MOSFET，具有低导通电阻（RDS(on) ≈ 25 mΩ @ VGS = −4.5 V）、逻辑电平驱动（支持3.3 V/5 V TTL/CMOS兼容）、集成ESD保护及热关断等特性。 其典型应用场景包括： ✅ 电源管理：用于便携式设备（如智能手机、平板、TWS耳机）中的负载开关或电池反向保护，实现高效、低功耗的电源通断控制； ✅ H桥/半桥驱动：作为高边开关与N-MOSFET配合构成DC电机驱动电路，适用于小型直流有刷电机（如风扇、微型泵、玩具马达）的正反转与PWM调速； ✅ 热插拔与USB电源开关：凭借快速开关响应（ton/toff < 20 ns）和过流/过温保护能力，适用于USB Type-C端口或模块化板卡的智能电源隔离； ✅ 工业与汽车电子辅助系统：在车载信息娱乐（IVI）、车身控制模块（BCM）中用于LED背光调光、传感器供电切换等低压（≤20 V）、中小电流（ID ≤ 4.5 A连续）场景。 注意：BSO203P不适用于高压（>25 V）或大功率（如＞10 W持续耗散）场合，且需配合合理PCB散热设计。实际应用中建议参考Infineon官方数据手册（Rev. 2.0）及推荐驱动电路。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET DUAL P-CH 20V 8.2A 8-SOIC |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 P 沟道（双） |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/BSO203P_080102.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42afca0443b&fileId=db3a304412b407950112b42afd0d443c |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BSO203P |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | OptiMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.2V @ 100µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2242pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 48.6nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 21 毫欧 @ 8.2A，4.5V |
| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | P-DSO-8 |
| 其它名称 | BSO203PINCT |
| 功率-最大值 | 2W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 8.2A |
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