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  • 型号: BSO080P03NS3G
  • 制造商: Infineon
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供BSO080P03NS3G由Infineon设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BSO080P03NS3G价格参考¥1.94-¥2.07。InfineonBSO080P03NS3G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载BSO080P03NS3G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BSO080P03NS3G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

BSO080P03NS3G 是英飞凌(Infineon Technologies)推出的P沟道增强型功率MOSFET,采用PG-TSDSON-8(即小型化表面贴装)封装,具有低导通电阻(RDS(on) ≈ 8.0 mΩ @ VGS = −10 V)、30 V耐压、连续漏极电流达40 A(TC = 25°C),并集成ESD保护与优化的开关特性。

其典型应用场景包括:  
✅ 高效率DC-DC电源管理:常用于同步降压转换器(Buck)的高边或低边开关(尤其适配P-FET高边驱动方案)、负载开关及OR-ing电路;  
✅ 电池供电系统:如智能手机、平板电脑、TWS耳机等便携设备中的电池保护、充电路径管理(如USB PD接口的反向阻断/电源切换);  
✅ 热插拔与电子保险丝(eFuse):凭借快速开关响应和低导通损耗,实现过流/短路保护与软启动控制;  
✅ 工业与汽车电子:适用于车载USB充电模块、LED驱动、电机驱动中的电平转换与逻辑控制开关(符合AEC-Q101认证,具备车规级可靠性);  
✅ 负载开关IC内部核心器件:在集成式负载开关中作为主功率通路,支持使能控制、反向电流阻断及低静态功耗。

该器件强调小尺寸、高功率密度与高可靠性,特别适合空间受限且对能效敏感的中低压(≤30 V)、中电流(≤40 A)开关应用。
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