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- 型号： BSC240N12NS3G
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BSC240N12NS3G由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BSC240N12NS3G价格参考。InfineonBSC240N12NS3G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BSC240N12NS3G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BSC240N12NS3G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BSC240N12NS3G 是英飞凌（Infineon Technologies）推出的高性能N沟道增强型功率MOSFET，采用OptiMOS™ 3技术，具有120V耐压、24A连续漏极电流（Tc=25°C）、极低导通电阻（RDS(on)典型值仅2.4 mΩ @ VGS=10V），并采用小型PG-TSDSON-8封装（鸥翼引脚，利于散热与贴片）。 其主要应用场景包括： - 高效率DC-DC转换器：如服务器/通信电源中的同步整流BUCK电路，低RDS(on)与快速开关特性（tₐ≈15ns，tₕ≈10ns）显著降低导通与开关损耗； - 电机驱动：适用于中小功率无刷直流（BLDC）电机控制器的半桥/全桥上/下管，支持高频PWM调制（可达500kHz以上）； - 工业电源与UPS系统：在PFC升压级或输出级中提升能效，满足80 PLUS Titanium等高能效标准； - LED驱动电源：用于恒流拓扑中的主开关器件，兼顾效率与热管理； - 电池管理系统（BMS）保护电路：作为充放电路径的主控MOSFET，配合驱动IC实现过流/短路保护。 该器件具备强雪崩耐量、符合工业级可靠性标准（AEC-Q101可选），支持表面贴装与自动化生产，广泛应用于数据中心电源、5G基站、工业自动化及新能源设备等对功率密度和能效要求严苛的领域。
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