【未分类_BSB280N15NZ3G】封装/厂家_BSB280N15NZ3G中文资料_价格

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型号： BSB280N15NZ3G
制造商： Infineon
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供BSB280N15NZ3G由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BSB280N15NZ3G价格参考。InfineonBSB280N15NZ3G封装/规格：未分类，暂无。您可以下载BSB280N15NZ3G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BSB280N15NZ3G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

BSB280N15NZ3G 是英飞凌（Infineon Technologies）推出的N沟道增强型功率MOSFET，采用PG-TO263-3封装，具有150V耐压、280A连续漏极电流（Tc=25°C）、极低导通电阻（RDS(on)典型值仅2.8 mΩ），并集成优化的体二极管，具备优异的开关性能与抗雪崩能力。

该器件主要面向高效率、大电流、高频开关的工业与汽车级应用。典型应用场景包括：  
- 车载DC-DC转换器（如48V/12V双向降压或升压模块），用于ADAS、车载信息娱乐系统及电动助力转向（EPS）供电；  
- 服务器与通信电源中的同步整流BUCK转换器、OR-ing电路及热插拔保护；  
- 工业电机驱动（如伺服驱动器、变频器的功率级输出）；  
- 储能系统（ESS）和光伏逆变器中的直流侧开关与电池管理单元（BMS）主动均衡开关；  
- 高功率LED驱动与焊接设备等需要低损耗、高可靠性的中高压开关场合。

其符合AEC-Q101汽车级认证（部分批次），具备强抗EMI能力和鲁棒的短路耐受时间（典型1μs@VDD=60V），适合在严苛电磁环境与宽温范围（–55°C至+175°C）下长期稳定运行。

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