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详细数据请看参考数据手册
- 型号： BSB053N03LPG
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BSB053N03LPG由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BSB053N03LPG价格参考。InfineonBSB053N03LPG封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BSB053N03LPG参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BSB053N03LPG 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BSB053N03LPG 是英飞凌（Infineon Technologies）推出的高性能低压N沟道增强型功率MOSFET，采用OptiMOS™ 5技术，具有超低导通电阻（RDS(on)典型值仅3.0 mΩ @ VGS=10V）、快速开关特性及优异的热性能。其30V耐压、80A连续漏极电流（TC=25°C）和小型PG-TSDSON-8封装（散热优化）使其特别适用于高效率、高功率密度的低压直流应用。 典型应用场景包括： ✅ 服务器与通信电源：用于48V输入DC-DC转换器（如POL模块、VRM/VRD）的同步整流开关，提升能效并降低温升； ✅ 工业电机驱动：在BLDC电机控制器中作相桥臂下管（尤其适用于24V/36V系统），支持高频PWM驱动与低损耗换向； ✅ 电池供电设备：如电动工具、无人机电调、便携式医疗设备中的电池保护电路与主功率开关，兼顾大电流承载与低静态功耗； ✅ 汽车电子：符合AEC-Q101标准，可用于12V车载系统，如LED前照灯驱动、车窗升降控制、辅助泵/风扇驱动等严苛环境应用； ✅ 储能与光伏微逆变器：作为DC侧高效开关，配合SiC或IGBT构成混合拓扑，优化轻载效率。 该器件集成ESD保护、强雪崩耐受能力（UIS）及鲁棒体二极管，显著提升系统可靠性与设计裕量。
产品参数
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