Datasheet下载- 型号： BQ4014YMB-85
- 制造商： Texas Instruments
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BQ4014YMB-85由Texas Instruments设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BQ4014YMB-85价格参考。Texas InstrumentsBQ4014YMB-85封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BQ4014YMB-85参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BQ4014YMB-85 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BQ4014YMB-85 是德州仪器（Texas Instruments）推出的一款非易失性静态RAM（NVSRAM），而非传统意义上的存储器（如DRAM、Flash）。其核心特点是：在断电时无需外部电池即可自动将SRAM数据保存至内部EEPROM，上电后自动恢复，兼具SRAM的高速读写与非易失性可靠性。 主要应用场景包括： ✅ 工业控制系统：PLC、DCS模块中用于保存实时运行参数、校准数据或故障日志，确保意外断电时不丢失关键状态； ✅ 通信设备：基站、路由器中的配置寄存器、MAC地址表或会话上下文缓存，要求纳秒级访问+断电数据保持； ✅ 医疗电子：监护仪、输液泵等需符合IEC 62304标准的设备，用于存储患者设置、报警阈值或最后工作状态，满足高可靠性与零电池依赖要求； ✅ 智能电表与能源管理终端：记录用电事件、需量数据、停电时间戳等，通过NVSRAM实现10年以上数据保持（典型值），避免电池老化失效风险； ✅ 航空航天与轨道交通：在宽温（–40°C 至 +85°C）、高振动环境中替代带外置电池的SRAM，提升系统长期免维护性。 注：该器件不适用于大容量数据存储（容量仅64Kb），也不支持频繁大块擦写（EEPROM寿命约10万次），其价值在于高速、可靠、免电池的中小容量关键数据保护。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC NVSRAM 2MBIT 85NS 32DIP |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Texas Instruments |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BQ4014YMB-85 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | 32-DIP 模块（18.42x52.96） |
| 其它名称 | 296-9398-5 |
| 包装 | 托盘 |
| 存储器类型 | NVSRAM（非易失 SRAM） |
| 存储容量 | 2M （256K x 8） |
| 封装/外壳 | 32-DIP 模块（0.61"，15.49mm） |
| 工作温度 | 0°C ~ 70°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 10 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 4.5 V ~ 5.5 V |
| 速度 | 85ns |
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