Datasheet下载- 型号： BQ4014YMB-120
- 制造商： Texas Instruments
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BQ4014YMB-120由Texas Instruments设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BQ4014YMB-120价格参考。Texas InstrumentsBQ4014YMB-120封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BQ4014YMB-120参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BQ4014YMB-120 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BQ4014YMB-120 是德州仪器（Texas Instruments, TI）推出的一款非易失性静态RAM（NVSRAM），而非传统意义上的Flash或EEPROM等广义“存储器”；其核心特点是：在断电时无需外部电池即可自动将SRAM数据保存至内部EEPROM单元，上电后自动恢复，兼具SRAM的高速读写与非易失性数据保持能力。 该器件典型应用场景包括： ✅ 工业自动化设备：如PLC、DCS控制器中用于保存运行参数、校准数据、故障日志等关键状态信息，确保意外断电后数据不丢失； ✅ 通信基础设施：基站、交换机、光模块中存储配置寄存器、MAC地址、版本信息等需快速访问且长期可靠的设置； ✅ 医疗电子设备：监护仪、便携式诊断设备中保存患者测量历史、设备自检结果及校准系数，满足高可靠性与数据完整性要求； ✅ 智能电表与能源管理系统：记录用电量、事件日志（如失压、断相时间戳），符合IEC 62056等标准对数据持久性的严苛要求； ✅ 航空航天与军工嵌入式系统：在宽温（–40°C 至 +85°C）、高振动/辐射环境中提供抗干扰、零待机功耗的数据暂存方案。 注：BQ4014YMB-120 为128Kb（16K × 8）容量、120ns访问速度、SOIC-28封装，支持工业级温度范围，适用于对实时性、可靠性和免电池设计有综合要求的嵌入式系统。TI已将其归类于“Nonvolatile SRAM”产品线，强调其“无需外部电池、自动存储/恢复”的独特价值。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC NVSRAM 2MBIT 120NS 32DIP |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Texas Instruments |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BQ4014YMB-120 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 32-DIP 模块（18.42x52.96） |
| 包装 | 管件 |
| 存储器类型 | NVSRAM（非易失 SRAM） |
| 存储容量 | 2M （256K x 8） |
| 封装/外壳 | 32-DIP 模块（0.61"，15.49mm） |
| 工作温度 | 0°C ~ 70°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 15 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 4.5 V ~ 5.5 V |
| 速度 | 120ns |
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