图片仅供参考
详细数据请看参考数据手册
- 型号： BQ4010YMA-200
- 制造商： Texas Instruments
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BQ4010YMA-200由Texas Instruments设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BQ4010YMA-200价格参考。Texas InstrumentsBQ4010YMA-200封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BQ4010YMA-200参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BQ4010YMA-200 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BQ4010YMA-200 是德州仪器（Texas Instruments）推出的一款非易失性静态RAM（NVSRAM），而非传统意义上的存储器（如EEPROM、Flash或SDRAM）。其核心特点是：在断电时能自动将SRAM数据保存至内部集成的EEPROM中，上电时自动恢复，兼具SRAM的高速读写（≤200ns访问时间）与非易失性数据保持能力（典型保持10年）。 该器件常用于对数据实时性与断电可靠性均有严苛要求的关键工业场景，例如： - 工业PLC与过程控制器：在突发断电时即时保存运行状态、计数器值、故障日志等关键参数，确保系统重启后无缝恢复； - 智能电表/水气表：持续记录用电量、瞬时功率、事件记录（如失压、断相），满足计量法规对数据完整性和不可丢失性的强制要求； - 医疗设备（如监护仪、输液泵）：安全保存患者设置、报警阈值及最近操作日志，保障生命支持类设备的数据连续性与合规性； - 通信基站与网络设备：缓存配置信息与运行统计，在电源切换或重启期间避免配置丢失。 需注意：BQ4010YMA-200 已于TI官网标注为NRND（Not Recommended for New Designs），即不推荐用于新设计项目，主要面向现有产线维护。当前TI主推替代方案为更集成、低功耗的新型NVSRAM或FRAM产品。选型时应评估生命周期风险，并优先考虑可量产的新一代器件。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC)半导体 |
| 描述 | IC NVSRAM 64KBIT 200NS 28DIPNVRAM 8Kx8 Nonvolatile SRAM |
| 产品分类 | 存储器集成电路 - IC |
| 品牌 | Texas Instruments |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 内存,NVRAM,Texas Instruments BQ4010YMA-200- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BQ4010YMA-200 |
| PCN过时产品 | |
| 产品种类 | NVRAM |
| 供应商器件封装 | 28-DIP 模块（18.42x37.72） |
| 包装 | 托盘 |
| 商标 | Texas Instruments |
| 存储器类型 | NVSRAM（非易失 SRAM） |
| 存储容量 | 64 kbit |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | 28-DIP 模块（0.61"，15.49mm） |
| 封装/箱体 | DIP-28 Module |
| 工作温度 | 0°C ~ 70°C |
| 工作电流 | 50 mA |
| 工厂包装数量 | 14 |
| 接口 | 并联 |
| 接口类型 | Parallel |
| 数据总线宽度 | 8 bit |
| 最大工作温度 | + 70 C |
| 最小工作温度 | 0 C |
| 标准包装 | 14 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 4.5 V ~ 5.5 V |
| 电源电压-最大 | 5.5 V |
| 电源电压-最小 | 4.5 V |
| 系列 | BQ4010Y |
| 组织 | 8 k x 8 |
| 访问时间 | 200 ns |
| 速度 | 200ns |
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