Datasheet下载- 型号： BLF8G27LS-150GVJ
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BLF8G27LS-150GVJ由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLF8G27LS-150GVJ价格参考。NXP SemiconductorsBLF8G27LS-150GVJ封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BLF8G27LS-150GVJ参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BLF8G27LS-150GVJ 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BLF8G27LS-150GVJ 是 Ampleon USA Inc. 推出的高性能 LDMOS 射频功率晶体管，专为 2.4–2.7 GHz 频段设计（典型工作频段：2.496–2.69 GHz），采用气腔陶瓷封装（GVJ），支持连续波（CW）与高效率脉冲/包络跟踪工作模式。其主要应用场景包括： • 5G Sub-6 GHz 基站功率放大器（PA）：适用于大规模MIMO（mMIMO）和有源天线单元（AAU）中的末级功放，支持256-QAM等高阶调制，满足3GPP Band 41（2.496–2.69 GHz）及n41/n77频段需求； • 宽带无线接入系统（如WTTx、固定无线接入FWA）：在2.5 GHz频段提供高线性度与高效率（典型PAE > 55% @ 2.6 GHz），支持高吞吐量数据传输； • 工业、科学与医疗（ISM）射频应用：如2.45 GHz ISM频段的射频加热、等离子体发生器及医疗射频消融设备的固态功率源； • 雷达与电子对抗（EW）系统：适用于S波段短距雷达、通信干扰机等需高可靠性、高功率密度（150 W P1dB）和良好热稳定性的场景。 该器件具备优异的增益（>18 dB）、高输出功率（150 W CW）、卓越的热管理能力（低结至壳热阻）及内置ESD保护，支持高可靠性连续运行，广泛用于商用通信基础设施与严苛工业射频系统中。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANSISTOR RF PWR CDFM6 ACC-6L |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | BLF8G27LS-150GVJ |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | CDFM6 |
| 其它名称 | 934067537118 |
| 功率-输出 | 45W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 18dB |
| 封装/外壳 | SOT-1244C |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 100 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 1.3A |
| 频率 | 2.6GHz ~ 2.7GHz |
| 额定电流 | - |
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