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详细数据请看参考数据手册
- 型号： BLF7G24LS-140,112
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BLF7G24LS-140,112由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLF7G24LS-140,112价格参考。NXP SemiconductorsBLF7G24LS-140,112封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BLF7G24LS-140,112参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BLF7G24LS-140,112 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Ampleon USA Inc. 的型号 BLF7G24LS-140,112 是一款高功率射频MOSFET晶体管，主要应用于射频（RF）功率放大领域。该器件适用于24GHz以下的高频应用，广泛用于通信基础设施、工业加热、等离子体生成以及射频能量应用等场景。 在通信领域，该型号常用于基站、广播发射机和无线基础设施中的射频功率放大器模块，具备高效率和高可靠性特点，适合长时间连续工作。在工业应用中，BLF7G24LS-140,112可用于射频加热设备和材料处理系统，提供稳定的高频能量输出。 此外，其高功率密度和良好的热稳定性也使其适用于医疗设备、科研仪器以及测试测量设备中的射频源模块。该器件采用先进的LDMOS技术，具有良好的线性度和失真控制能力，适合需要高质量信号放大的应用环境。 综上，BLF7G24LS-140,112是一款高性能射频MOSFET，适用于通信、工业、医疗和科研等多个领域的射频功率放大与能量控制场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS LDMOS SOT502B |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BLF7G24LS-140,112 |
| PCN封装 | |
| PCN组件/产地 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | SOT502B |
| 其它名称 | 568-8628-5 |
| 功率-输出 | 30W |
| 包装 | 托盘 |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 18.5dB |
| 封装/外壳 | SOT-502B |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 20 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 1.3A |
| 频率 | 2.3GHz ~ 2.4GHz |
| 额定电流 | 28A |
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