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  • 型号: BLF7G24LS-140,112
  • 制造商: NXP Semiconductors
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供BLF7G24LS-140,112由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLF7G24LS-140,112价格参考。NXP SemiconductorsBLF7G24LS-140,112封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载BLF7G24LS-140,112参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BLF7G24LS-140,112 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Ampleon USA Inc. 的型号 BLF7G24LS-140,112 是一款高功率射频MOSFET晶体管,主要应用于射频(RF)功率放大领域。该器件适用于24GHz以下的高频应用,广泛用于通信基础设施、工业加热、等离子体生成以及射频能量应用等场景。

在通信领域,该型号常用于基站、广播发射机和无线基础设施中的射频功率放大器模块,具备高效率和高可靠性特点,适合长时间连续工作。在工业应用中,BLF7G24LS-140,112可用于射频加热设备和材料处理系统,提供稳定的高频能量输出。

此外,其高功率密度和良好的热稳定性也使其适用于医疗设备、科研仪器以及测试测量设备中的射频源模块。该器件采用先进的LDMOS技术,具有良好的线性度和失真控制能力,适合需要高质量信号放大的应用环境。

综上,BLF7G24LS-140,112是一款高性能射频MOSFET,适用于通信、工业、医疗和科研等多个领域的射频功率放大与能量控制场景。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANS LDMOS SOT502B

产品分类

RF FET

品牌

NXP Semiconductors

数据手册

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产品图片

产品型号

BLF7G24LS-140,112

PCN封装

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PCN组件/产地

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rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

供应商器件封装

SOT502B

其它名称

568-8628-5
934064995112
BLF7G24LS-140,112-ND
BLF7G24LS140112

功率-输出

30W

包装

托盘

噪声系数

-

增益

18.5dB

封装/外壳

SOT-502B

晶体管类型

LDMOS

标准包装

20

电压-测试

28V

电压-额定

65V

电流-测试

1.3A

频率

2.3GHz ~ 2.4GHz

额定电流

28A

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