Datasheet下载- 型号： BLF7G24LS-100,112
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BLF7G24LS-100,112由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLF7G24LS-100,112价格参考。NXP SemiconductorsBLF7G24LS-100,112封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BLF7G24LS-100,112参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BLF7G24LS-100,112 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BLF7G24LS-100,112 是 Ampleon USA Inc. 推出的高性能 LDMOS 射频功率晶体管，工作频率范围为 2.3–2.7 GHz（覆盖 B40/B41 等 5G Sub-6 GHz 频段），典型输出功率达 100 W（连续波），具备高增益（约 18 dB）和高效率（典型 PAE > 65%）。其主要应用场景包括： • 5G 宏基站与小型基站（Small Cell）的射频末级功率放大器（PA），尤其适用于 TDD 模式下的 2.6 GHz 5G NR（如 n41/n77 频段）； • 无线通信基础设施中的宽带多载波放大，支持高阶调制（如 256-QAM）及高 PAR 信号（如 OFDM）； • 广播与专业通信系统中 2.4–2.7 GHz 频段的高线性度固态功率放大模块； • 电子对抗（EW）、雷达模拟器及测试设备中对宽带、高可靠性射频源的需求场景。 该器件采用陶瓷封装（SOT1222A），集成ESD保护与良好热管理设计，支持风冷或传导冷却，符合工业级可靠性标准（如 AEC-Q200 兼容设计），适用于严苛环境下的长期连续运行。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANSISTOR RF PWR LDMOS SOT502B |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BLF7G24LS-100,112 |
| PCN封装 | |
| PCN组件/产地 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | SOT502B |
| 其它名称 | 568-8626-5 |
| 功率-输出 | 20W |
| 包装 | 托盘 |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 18dB |
| 封装/外壳 | SOT-502B |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 20 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 900mA |
| 频率 | 2.3GHz ~ 2.4GHz |
| 额定电流 | 28A |
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