Datasheet下载- 型号： BLF7G24L-160P,112
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BLF7G24L-160P,112由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLF7G24L-160P,112价格参考。NXP SemiconductorsBLF7G24L-160P,112封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BLF7G24L-160P,112参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BLF7G24L-160P,112 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BLF7G24L-160P,112 是 NXP USA Inc. 推出的高性能 LDMOS 射频功率晶体管，专为 2.4–2.5 GHz 频段设计（典型工作频段：2400–2500 MHz），采用陶瓷封装，具备高效率、高增益与优异热稳定性。其主要应用场景包括： - 5G Sub-6 GHz 基站与小基站（Small Cell）：适用于2.4 GHz频段的微蜂窝/皮蜂窝发射链路，支持高线性度多载波信号放大； - Wi-Fi 6/6E 接入点（AP）与企业级路由器：作为末级功率放大器（PA），提升2.4 GHz频段覆盖范围与吞吐量； - 工业、科研及医疗射频源：如RF加热、等离子体发生器、MRI射频功放模块等需稳定连续波（CW）或调制信号输出的场景； - 无线宽带通信系统（如WLAN/WiMAX回传）：支持高动态范围OFDM信号，满足ACLR和EVM严苛指标； - 测试测量设备中的射频激励源：作为信号发生器或功率放大模块的核心器件。 该器件额定输出功率达160 W（脉冲或连续波模式可配置），典型功率附加效率（PAE）>60%，增益约18 dB，集成ESD保护，支持高可靠性长期运行。需配合匹配电路与散热设计使用，常用于紧凑型高功率射频前端模块中。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANSISTOR RF POWER LDMOST |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BLF7G24L-160P,112 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | SOT539A |
| 其它名称 | 934066342112 |
| 功率-输出 | 30W |
| 包装 | 托盘 |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 18.5dB |
| 封装/外壳 | SOT539A |
| 晶体管类型 | LDMOS（双） |
| 标准包装 | 60 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 28V |
| 电流-测试 | 1.2A |
| 频率 | 2.3GHz ~ 2.4GHz |
| 额定电流 | - |
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