Datasheet下载- 型号： BLF6G27LS-100,118
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BLF6G27LS-100,118由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLF6G27LS-100,118价格参考。NXP SemiconductorsBLF6G27LS-100,118封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BLF6G27LS-100,118参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BLF6G27LS-100,118 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BLF6G27LS-100,118 是由 NXP USA Inc. 生产的一款射频功率 MOSFET 晶体管，主要用于高频、高功率的射频放大应用。该器件工作频率可达 2.7 GHz，具备100W 的高输出功率能力，适用于需要高效能和稳定性能的射频系统。 其典型应用场景包括：工业、科学和医疗（ISM）频段的射频能量应用，如感应加热、等离子发生和射频激励源；无线通信基础设施中的高功率射频放大器，例如在基站或广播发射系统中用于信号放大；还可用于航空、雷达和国防领域的射频发射模块，支持高可靠性与宽温域运行。 该器件采用先进的 LDMOS 技术，具有高增益、高效率和良好的热稳定性，配合其坚固的封装设计（如陶瓷封装），适合在严苛环境中长期运行。此外，BLF6G27LS-118 支持宽带匹配，便于电路设计优化，广泛应用于要求紧凑设计和高性能的射频系统中。 综上，BLF6G27LS-100,118 主要用于 ISM 射频能量设备、通信基站、雷达系统及工业加热等领域，是高频率、高功率射频放大应用的理想选择。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PWR LDMOS SOT502 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BLF6G27LS-100,118 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | LDMOST |
| 其它名称 | 934064318118 |
| 功率-输出 | 14W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 17dB |
| 封装/外壳 | SOT-502A |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 100 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 900mA |
| 频率 | 2.5GHz ~ 2.7GHz |
| 额定电流 | 29A |
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