【未分类_BLF4G22S-100,112】封装/厂家_BLF4G22S-100,112中文资料_价格

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型号： BLF4G22S-100,112
制造商： NXP Semiconductors
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供BLF4G22S-100,112由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLF4G22S-100,112价格参考。NXP SemiconductorsBLF4G22S-100,112封装/规格：未分类，暂无。您可以下载BLF4G22S-100,112参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BLF4G22S-100,112 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

BLF4G22S-112（注：型号应为BLF4G22S-112，而非“-100,112”；后缀“112”为NXP标准封装代码）是恩智浦（NXP）推出的LDMOS射频功率晶体管，专为4G/5G基站和宽带无线通信系统设计。其典型应用场景包括：

• 蜂窝基站功放（PA）：工作频段覆盖1805–2200 MHz（支持B1/B3/B7/B20/B38/B40/B41等主流LTE/NR频段），适用于宏基站、微基站及有源天线单元（AAU）的末级射频功率放大器。

• 宽带多载波应用：具备高增益（典型21 dB）、高效率（典型65% @ 2170 MHz, 100W Pout）和优异的线性度（支持DPD数字预失真），可高效处理多载波GSM、WCDMA、LTE及5G NR信号。

• 工业与广播设备：亦用于RF加热、等离子体发生器及小型FM/TV广播激励器等中高功率射频源。

该器件采用陶瓷封装（SOT1222A），支持风冷或液冷散热，具备高可靠性与强抗驻波能力（VSWR耐受≥10:1），适合长期连续运行的通信基础设施环境。需配合匹配网络与稳定偏置电路使用，典型静态工作点为Vds=28 V，Idq≈1.2 A。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	BASESTATION FINAL 2.2GHZ SOT502B
产品分类	RF FET
品牌	NXP Semiconductors
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	BLF4G22S-100,112
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
供应商器件封装	SOT502B
其它名称	568-2399 934058168112 BLF4G22S-100 BLF4G22S-100-ND
功率-输出	25W
包装	托盘
噪声系数	-
增益	13.5dB
封装/外壳	SOT-502B
晶体管类型	LDMOS
标准包装	20
电压-测试	28V
电压-额定	65V
电流-测试	900mA
频率	2.11GHz ~ 2.17GHz
额定电流	12A