Datasheet下载- 型号： BLD6G21L-50,112
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BLD6G21L-50,112由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLD6G21L-50,112价格参考。NXP SemiconductorsBLD6G21L-50,112封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BLD6G21L-50,112参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BLD6G21L-50,112 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BLD6G21L-50,112 是 Ampleon USA Inc. 推出的高性能射频LDMOS MOSFET晶体管，专为2.1–2.2 GHz频段（如LTE-FDD Band 1/25、NR n1/n25）设计。其典型应用场景包括： 1. 5G宏基站功率放大器（PA）：作为末级功放核心器件，支持高线性度与高效率（典型PAE > 55% @ 2.14 GHz），满足5G多载波OFDM信号严苛的ACLR和EVM要求； 2. 宽带无线通信基础设施：适用于2.1–2.2 GHz频段的TDD/LTE/NR基站、小型基站（Small Cell）及分布式天线系统（DAS）中的射频发射链路； 3. 广播与专业无线系统：在数字电视（DTMB）、公共安全通信（如FirstNet）等需高可靠性、高功率输出（连续波输出达50 W，脉冲模式更高）的场景中提供稳定射频功率； 4. 工业与科研射频源：用于ISM频段邻近的测试设备、射频加热或EMC测试激励源等中功率射频发生应用。 该器件采用陶瓷封装（SOT539A），具备优异热性能与高可靠性，支持宽带匹配设计，兼容主流射频PCB布局规范，广泛应用于通信设备制造商（OEM）及基站射频子系统供应商。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANSISTOR DOHERTY W-CDMA SOT113 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BLD6G21L-50,112 |
| PCN封装 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | CDFM4 |
| 其它名称 | 568-8663-5 |
| 功率-输出 | 8W |
| 包装 | 管件 |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 13.5dB |
| 封装/外壳 | SOT-1130A |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 20 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 170mA |
| 频率 | 2.02GHz |
| 额定电流 | 10.2A |
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