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  • 型号: BFR505,215
  • 制造商: NXP Semiconductors
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供BFR505,215由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BFR505,215价格参考。NXP SemiconductorsBFR505,215封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载BFR505,215参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BFR505,215 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

BFR505,215 是 NXP USA Inc. 推出的高性能硅 NPN 射频双极结型晶体管(RF BJT),专为高频、低噪声、中功率放大应用优化。其典型工作频率达 5 GHz(fₜ ≈ 5.5 GHz),具备低噪声系数(NF ≈ 0.9 dB @ 1 GHz)、高增益(Gₐ ≈ 13 dB @ 1 GHz)及良好线性度,采用 SOT-323(SC-70)小型表面贴装封装。

主要应用场景包括:  
1. 无线通信前端:广泛用于 GSM、EDGE、WCDMA、LTE 等蜂窝基站和终端设备中的低噪声放大器(LNA),尤其适用于 800 MHz–2.5 GHz 频段;  
2. 物联网(IoT)与短距无线模块:在蓝牙、Zigbee、Wi-Fi(2.4 GHz)接收链路中作为第一级射频放大器,提升接收灵敏度;  
3. 汽车电子:用于车载遥控钥匙(RKE)、TPMS(胎压监测)等 315/433/868 MHz 射频接收电路;  
4. 消费类射频产品:如无线音频传输器、遥控器、智能穿戴设备的射频接收前端;  
5. 工业与医疗无线设备:适用于ISM频段(如 902–928 MHz、2.4–2.5 GHz)的传感器网络和便携式诊断设备。

该器件支持+3 V 至 +5 V 单电源供电,静态电流低(Ic ≈ 5–15 mA 可调),便于电池供电设计;同时具备良好的ESD防护能力(HBM > 2 kV),适合高可靠性量产应用。注意:BFR505,215 已被 NXP 官方列为“Not Recommended for New Designs”(NRND),建议新项目评估替代型号(如 BGA2867 或 RF SiGe 放大器),但现有设备维修及成熟产线仍广泛使用。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

TRANS NPN 15V 9GHZ SOT-23射频双极晶体管 NPN 15V 9GHZ

产品分类

RF 晶体管 (BJT)分离式半导体

品牌

NXP Semiconductors

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,晶体管射频,射频双极晶体管,NXP Semiconductors BFR505,215-

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产品型号

BFR505,215

PCN封装

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PCN设计/规格

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不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

60 @ 5mA,6V

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产品种类

射频双极晶体管

供应商器件封装

SOT-23 (TO-236AB)

其它名称

568-1988-2
934018740215
BFR505 T/R

功率-最大值

150mW

功率耗散

150 mW

包装

带卷 (TR)

发射极-基极电压VEBO

2.5 V

商标

NXP Semiconductors

噪声系数(dB,不同f时的典型值)

1.2dB ~ 2.1dB @ 900MHz

增益

-

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

封装/箱体

SOT-23

工厂包装数量

3000

技术

Silicon

晶体管极性

NPN

晶体管类型

Bipolar

最大工作温度

+ 150 C

最大工作频率

9000 MHz

最大直流电集电极电流

0.018 A

最小工作温度

- 65 C

标准包装

3,000

电压-集射极击穿(最大值)

15V

电流-集电极(Ic)(最大值)

18mA

类型

RF Bipolar Small Signal

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

15 V

集电极连续电流

0.018 A

零件号别名

BFR505 T/R

频率

9000 MHz

频率-跃迁

9GHz

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