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- 型号： BFL4001
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BFL4001由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BFL4001价格参考。ON SemiconductorBFL4001封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BFL4001参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BFL4001 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BFL4001 是安森美（ON Semiconductor）推出的一款高性能射频（RF）LDMOS功率晶体管，属于N沟道增强型MOSFET，专为高频、高效率、高功率放大应用设计。其典型工作频率范围为2.4–2.5 GHz（如Wi-Fi 2.4 GHz频段），具备高增益（典型值约16 dB）、高输出功率（连续波下可达30 W）及高漏极效率（>60%），采用陶瓷封装（如SOT-1227A），支持风冷或散热器安装。 主要应用场景包括： ✅ 无线通信基站与中继设备：用于2.4 GHz ISM频段的宏基站、微基站及点对点无线回传系统的末级功率放大器（PA）。 ✅ 工业/医疗射频加热系统：如等离子体发生器、射频消融设备中的固态功率放大模块，依赖其高可靠性与热稳定性。 ✅ 专业无线音频与视频传输设备：如高清无线摄像机发射模块、无人机图传系统（需高线性度与抗干扰能力）。 ✅ 测试测量仪器：作为信号源或功放单元，用于射频功率放大器校准、EMC测试等场景。 注意：BFL4001 需严格遵循安森美推荐的偏置条件（如VDS = 28 V，IDQ ≈ 350 mA）、匹配网络设计及散热方案，不可直接替代通用开关型MOSFET使用。其设计面向线性放大而非开关应用，强调射频性能与长期热可靠性。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 900V 4.1A TO-220FI |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BFL4001 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | - |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 850pF @ 30V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 44nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 2.7 欧姆 @ 3.25A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-220FI（LS） |
| 功率-最大值 | 2W |
| 包装 | 散装 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
| 标准包装 | 100 |
| 漏源极电压(Vdss) | 900V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 4.1A （Ta） |
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