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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供BFG505,215由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BFG505,215价格参考。NXP SemiconductorsBFG505,215封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载BFG505,215参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BFG505,215 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BFG505,215 是恩智浦(NXP Semiconductors)推出的高性能硅NPN射频双极结型晶体管(RF BJT),专为高频、低噪声放大应用优化。其典型工作频率达5 GHz,具有低噪声系数(NF ≈ 1.1 dB @ 900 MHz)、高增益(Gₐ ≈ 17 dB @ 900 MHz)和良好线性度,采用SOT-323(SC-70)微型表面贴装封装,适合高密度PCB布局。 主要应用场景包括: 1. 蜂窝通信前端:广泛用于GSM/EDGE、UMTS(WCDMA)及LTE频段(如800–2200 MHz)的接收机低噪声放大器(LNA),提升灵敏度与信噪比; 2. 无线基础设施:基站收发信机(RRU/BBU)中的射频小信号放大级; 3. 物联网(IoT)与短距无线模块:如蓝牙、Zigbee、Sub-GHz(如868/915 MHz)接收链路中的前置放大; 4. 汽车电子:胎压监测系统(TPMS)、遥控无钥匙进入(RKE)等2.4 GHz或UHF频段接收电路; 5. 消费类射频设备:数字电视调谐器、无线麦克风、对讲机等便携式设备的RF接收前端。 该器件支持单电源偏置(典型V_CE = 3–5 V),功耗低(I_C ≈ 10 mA),兼顾性能与能效,且无需外部匹配电感即可在指定频段实现稳定宽带匹配,简化设计。注意:已停产(EOL),现多用于替代设计或存量设备维护,新项目建议参考NXP当前主推的BGU系列或RF CMOS方案。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS NPN 6V 18MA SOT343N射频双极晶体管 TAPE7 TNS-RFSS |
| 产品分类 | RF 晶体管 (BJT)分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,晶体管射频,射频双极晶体管,NXP Semiconductors BFG505,215- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BFG505,215 |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 60 @ 5mA,6V |
| 产品种类 | 射频双极晶体管 |
| 供应商器件封装 | SOT-143B |
| 其它名称 | 934018760215 |
| 功率-最大值 | 150mW |
| 功率耗散 | 150 mW |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 发射极-基极电压VEBO | 2.5 V |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 噪声系数(dB,不同f时的典型值) | 1.2dB ~ 2.1dB @ 900MHz |
| 增益 | - |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-253-4,TO-253AA |
| 封装/箱体 | SOT-143 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 技术 | Silicon |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | Bipolar |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大工作频率 | 9000 MHz |
| 最大直流电集电极电流 | 0.018 A |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 15V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 18mA |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 60 |
| 类型 | RF Bipolar Small Signal |
| 配置 | Dual |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 15 V |
| 集电极连续电流 | 18 mA |
| 零件号别名 | BFG505 T/R |
| 频率 | 9000 MHz |
| 频率-跃迁 | 9GHz |