Datasheet下载- 型号： BF1210,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BF1210,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BF1210,115价格参考￥1.44-￥1.49。NXP SemiconductorsBF1210,115封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BF1210,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BF1210,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BF1210,115 是 NXP USA Inc. 推出的一款硅 N 沟道 RF MOSFET（射频场效应晶体管），专为高频小信号放大应用优化。其典型工作频率范围为 30 MHz 至 1 GHz，具备低噪声系数（NF ≈ 1.2 dB @ 433 MHz）、高增益（GT ≈ 15 dB @ 433 MHz）和良好输入/输出匹配特性（无需复杂匹配网络），采用 SOT-343（SC-82AB）小型表面贴装封装。 主要应用场景包括： • ISM 频段无线模块：广泛用于 433 MHz、868 MHz 和 915 MHz 免许可频段的短距离无线通信设备，如遥控器、无线传感器节点、智能电表、安防报警系统等； • RF 前端低噪声放大器（LNA）：作为接收链路首级放大器，提升微弱射频信号信噪比，适用于 3G/4G 物联网终端、蓝牙/Wi-Fi 辅助接收通道（非主频段）； • 汽车电子：用于无钥匙进入（RKE）、胎压监测系统（TPMS）等车载低功耗射频接收前端； • 工业遥控与遥测设备：如起重机遥控、农业自动化传感系统中的射频接收单元。 该器件强调低功耗（IDSS 典型值 5 mA，静态电流低）、高可靠性及优异的 ESD 防护能力（HBM > 2 kV），适合电池供电或空间受限的便携式/嵌入式射频设计。需注意：BF1210,115 为小信号器件，不适用于功率放大（PA）或开关应用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH DUAL GATE 6V 6TSSOP |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BF1210,115 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 6-TSSOP |
| 其它名称 | 934060847115 |
| 功率-输出 | - |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | 0.9dB |
| 增益 | 31dB |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 晶体管类型 | N 通道双门 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-测试 | 5V |
| 电压-额定 | 6V |
| 电流-测试 | 19mA |
| 频率 | 400MHz |
| 额定电流 | 30mA |
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