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- 型号： BF1206,115
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BF1206,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BF1206,115价格参考。NXP SemiconductorsBF1206,115封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BF1206,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BF1206,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BF1206,115 是 NXP USA Inc. 推出的一款硅 N 沟道 RF MOSFET（射频场效应晶体管），专为高频小信号放大应用优化。其典型工作频率达 1 GHz，具有低噪声系数（NF ≈ 1.2 dB @ 900 MHz）、高增益（Gₐ ≈ 14 dB @ 900 MHz）和良好输入/输出匹配特性，采用小型 SOT-23 表面贴装封装。 主要应用场景包括： • 蜂窝通信前端：适用于 GSM、GPRS、EDGE 等 800–1000 MHz 频段的手机及模块接收链路中的低噪声放大器（LNA）； • 无线基础设施：用于基站收发信机（BTS）或直放站中低功率射频接收通道的预放大级； • 物联网（IoT）与短距无线设备：如 NB-IoT、LTE-M 终端、智能电表等对尺寸、功耗和成本敏感的射频接收前端； • 汽车电子与工业遥控：在 868/915 MHz ISM 频段的遥控钥匙、TPMS、无线传感器节点中作接收放大器； • 消费类无线产品：如无绳电话、无线音频传输、RFID 读写器接收电路等。 该器件无需外部匹配电感即可实现近似 50 Ω 输入/输出阻抗，简化 PCB 设计，适合高密度、低成本量产。需注意其最大漏极电压仅 12 V，不适用于功率放大（PA）场景，仅限小信号线性放大用途。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH DUAL GATE 6V 6TSSOP |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BF1206,115 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 6-TSSOP |
| 其它名称 | 934057297115 |
| 功率-输出 | - |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | 1.3dB |
| 增益 | 30dB |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 晶体管类型 | N 通道双门 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-测试 | 5V |
| 电压-额定 | 6V |
| 电流-测试 | 18mA |
| 频率 | 400MHz |
| 额定电流 | 30mA |
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