Datasheet下载- 型号： BF1201WR,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BF1201WR,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BF1201WR,115价格参考。NXP SemiconductorsBF1201WR,115封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BF1201WR,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BF1201WR,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BF1201WR,115 是 NXP USA Inc. 推出的硅 N 沟道 RF MOSFET（射频场效应晶体管），采用超小型 SOT323（SC-70）封装，专为低功耗、高频模拟前端设计。其典型应用场景包括： • VHF/UHF 频段（30–500 MHz）低噪声放大（LNA）：如车载收音机、对讲机、无线麦克风、遥控接收模块等消费类与工业级无线设备的输入级放大； • 高线性度射频开关/可变增益放大器（VGA）前端：适用于需兼顾增益、噪声系数（NF ≈ 1.8 dB @ 100 MHz）和输入三阶截点（IIP3 ≈ +15 dBm）的中低功率接收链路； • 便携式通信设备中的集成射频前端：得益于其微型封装（2.0 × 2.1 × 0.9 mm）和低工作电流（IDSS ≈ 5–15 mA），适合空间受限的电池供电设备，如蓝牙/Wi-Fi 辅助接收路径、ISM 频段（433/868/915 MHz）传感器节点； • AM/FM 调谐器及电视调谐模块：作为高频调谐回路中的有源调谐元件或缓冲放大器，提供稳定增益与良好阻抗匹配。 该器件不适用于大功率发射应用（Pout < 10 mW），主要面向接收端小信号放大与信号调理场景，强调低噪声、高增益（|S21| > 12 dB @ 100 MHz）、良好反向隔离（|S12| < –25 dB）及温度稳定性。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 10V 30MA SOT343R |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BF1201WR,115 |
| PCN封装 | |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | CMPAK-4 |
| 其它名称 | 568-6150-6 |
| 功率-输出 | - |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 噪声系数 | 1dB |
| 增益 | 29dB |
| 封装/外壳 | SC-82A，SOT-343 |
| 晶体管类型 | N 通道双门 |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-测试 | 5V |
| 电压-额定 | 10V |
| 电流-测试 | 15mA |
| 频率 | 400MHz |
| 额定电流 | 30mA |
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