Datasheet下载- 型号： BD676G
- 制造商： ON Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BD676G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BD676G价格参考。ON SemiconductorBD676G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BD676G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BD676G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor（安森美）的BD676G是一款NPN型双极结型晶体管（BJT），属于功率放大和开关应用类器件。该型号主要用于中高功率的模拟与数字电路中，典型应用场景包括： 1. 功率放大电路：BD676G具有较高的集电极电流（最高可达4A）和耐压能力（VCEO=80V），适用于音频功率放大器中的驱动级或输出级，常见于家用音响、公共广播系统等设备。 2. 电源开关控制：因其具备良好的开关特性，可用于直流电机控制、继电器驱动、电源管理模块中的开关调节，实现对负载的通断控制。 3. 工业控制与电源转换：在工业自动化设备、开关电源（SMPS）、逆变器及稳压电源中，作为功率调整或脉冲宽度调制（PWM）控制的执行元件。 4. 消费类电子产品：如电视、空调、照明控制系统中用于信号放大或功率驱动。 BD676G采用TO-225封装，散热性能良好，适合在较严苛环境下稳定工作。其高可靠性与耐用性使其广泛应用于需要中等功率处理能力的场合。使用时需注意合理设计基极驱动电路，并配合散热措施以确保长期稳定运行。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS DARL PNP 45V 4A BIPO TO225达林顿晶体管 4A 45V 40W PNP |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,达林顿晶体管,ON Semiconductor BD676G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BD676G |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 2.5V @ 30mA，1.5A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 750 @ 1.5A，3V |
| 产品种类 | 达林顿晶体管 |
| 供应商器件封装 | TO-225AA |
| 其它名称 | BD676G-ND |
| 功率-最大值 | 40W |
| 包装 | 散装 |
| 发射极-基极电压VEBO | 5 V |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Bulk |
| 封装/外壳 | TO-225AA，TO-126-3 |
| 封装/箱体 | QFN |
| 工厂包装数量 | 500 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | PNP - 达林顿 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 4 A |
| 最大集电极截止电流 | 200 uA |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 500 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 45V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 4A |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500µA |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 750 |
| 系列 | BD676 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 45 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 45 V |
| 频率-跃迁 | - |
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