【未分类_BCW61DLT1】封装/厂家_BCW61DLT1中文资料_价格

图片仅供参考

详细数据请看参考数据手册

型号： BCW61DLT1
制造商： ON Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

查看当月历史价格

查看今年历史价格

产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供BCW61DLT1由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BCW61DLT1价格参考。ON SemiconductorBCW61DLT1封装/规格：未分类，暂无。您可以下载BCW61DLT1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BCW61DLT1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

BCW61DLT1 是安森美（ON Semiconductor）推出的一款通用型PNP小信号双极结型晶体管（BJT），采用SOT-23表面贴装封装。其典型应用场景包括：

• 低功率开关电路：如LED驱动、继电器控制、逻辑电平转换等，适用于30V以内、最大集电极电流100mA的开关需求；  
• 小信号放大：用于音频前置放大、传感器信号调理、低频（fₜ ≈ 250MHz）模拟信号放大等对增益和噪声要求适中的场合；  
• 电源管理辅助电路：如LDO使能控制、电池电压检测回路、负载开关的驱动级；  
• 消费类与便携式设备：因SOT-23封装尺寸小（2.9×1.3×1.0 mm）、功耗低（Pᴅ = 225 mW），广泛应用于智能手机周边、可穿戴设备、遥控器、IoT节点等空间受限场景；  
• 工业与汽车电子（AEC-Q101兼容版本需确认具体料号）：在非安全关键的车载传感器接口、车身控制模块中用作电平移位或缓冲驱动。

该器件具有高直流电流增益（hFE 125–250 @ Ic = 2mA）、低饱和压降（VCE(sat) ≈ 0.15V @ Ic=10mA, Ib=0.5mA），适合电池供电系统以提升能效。注意：设计时需确保工作温度在−55°C至+150°C范围内，并遵循ON Semiconductor官方数据手册进行PCB布局与热设计。

产品参数图文手册常见问题

样品试用

万种样品免费试用

去申请